[发明专利]碳酸二芳基酯的制备方法无效

专利信息
申请号: 200880007640.8 申请日: 2008-03-14
公开(公告)号: CN101627004A 公开(公告)日: 2010-01-13
发明(设计)人: 久间清次;浦岛英俊;西原涼平;吉野崇史 申请(专利权)人: 三菱化学株式会社
主分类号: C07C68/02 分类号: C07C68/02;C07C69/96
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 张平元
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 碳酸 二芳基酯 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种制备碳酸二芳基酯的方法,该方法通过将芳香族羟基化合物和碳酰卤供应至反应器中并使其反应来连续地制备碳酸二芳基酯,其中,所述反应器为反应塔,当使供应至所述反应塔中的所述碳酰卤的流量为G[m3/秒]、使所述反应塔沿水平方向的塔内截面积为A[m2]时,满足0.01≤G/A≤0.10[m/秒]。

2.根据权利要求1所述的制备碳酸二芳基酯的方法,其中,所述反应塔内部的反应体系中的至少一部分为液态,并且,当使从所述反应塔内底部到该反应体系液面之间的高度为H、使所述反应塔的内径为D时,满足H/D≥10。

3.根据权利要求1或2所述的制备碳酸二芳基酯的方法,其中,将所述芳香族羟基化合物以液体状态、并将所述碳酰卤以气体状态供应至所述反应塔中。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的制备碳酸二芳基酯的方法,其中,将所述芳香族羟基化合物与所述碳酰卤供应至所述反应塔的下部,并使它们从该反应塔下部并流至上方而进行反应。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的制备碳酸二芳基酯的方法,其中,

所述反应塔具有下述结构:其上部具有溢流管,通过该溢流管使气相和液相得以分离;并且,

当使所述溢流管在所述反应塔中的接触下端与所述反应塔内的顶部之间的距离为L、使所述反应塔的内径为D时,满足L/D≥1。

6.根据权利要求1~5中任一项所述的制备碳酸二芳基酯的方法,其中,当使所述反应塔内的气相体积为Vg、使所述反应塔内空隙体积为Vv时,满足0.05≤Vg/Vv≤0.50。

7.根据权利要求1~6中任一项所述的制备碳酸二芳基酯的方法,其中,在所述反应塔内部的至少一部分填充有填充物的状态下进行上述反应。

8.根据权利要求7所述的制备碳酸二芳基酯的方法,其中,所述填充物为不规则填充物。

9.根据权利要求1~8中任一项所述的制备碳酸二芳基酯的方法,其中,所述芳香族羟基化合物在所述反应塔内部的至少一部分中形成连续相。

10.根据权利要求1~9中任一项所述的制备碳酸二芳基酯的方法,其中,所述芳香族羟基化合物在所述反应塔内的滞留时间为0.5小时以上且4小时以内。

11.根据权利要求1~10中任一项所述的制备碳酸二芳基酯的方法,其中,将供应至所述反应塔中的所述芳香族羟基化合物的温度设置在130℃以上。

12.根据权利要求1~11中任一项所述的制备碳酸二芳基酯的方法,其中,所述碳酰卤为碳酰氯。

13.根据权利要求1~12中任一项所述的制备碳酸二芳基酯的方法,其中,使反应体系中存在均相催化剂。

14.根据权利要求13所述的制备碳酸二芳基酯的方法,其中,所述均相催化剂为芳香族杂环式含氮碱性化合物或其盐。

15.一种制备碳酸二芳基酯的方法,该方法通过将芳香族羟基化合物和碳酰卤供应至反应器中并使其反应来连续地制备碳酸二芳基酯,其中,

所述反应器为至少一部分填充有填充物的反应塔,

所述反应塔内部的填充有所述填充物部分的空隙率为50%以上,并且,

所述填充物的单位体积的表面积为200m2/m3以上。

16.根据权利要求15所述的制备碳酸二芳基酯的方法,其中,所述空隙率在65%以上。

17.根据权利要求15或16所述的制备碳酸二芳基酯的方法,其中,所述填充物的单位体积的表面积为300m2/m3以上。

18.根据权利要求15~17中任一项所述的制备碳酸二芳基酯的方法,其中,所述填充物由陶瓷构成。

19.根据权利要求15~18中任一项所述的制备碳酸二芳基酯的方法,其中,所述填充物是利用酸性溶液清洗过的填充物。

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