[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置包括非易失性 半导体存储元件，所述方法包括以下步骤：

形成包括源区、漏区和沟道形成区的半导体区；

在所述半导体区之上形成第一绝缘膜；

通过第一化学气相沉积方法，使用第一硅源气体和包含氮氢化合 物的第一氮源气体作为源材料，在所述第一绝缘膜之上形成第一硅氮 化物膜；

通过第二化学气相沉积方法，使用第二硅源气体和在成分中不包 含氢的第二氮源气体作为源材料，在所述第一硅氮化物膜之上形成第 二硅氮化物膜；以及

在所述第二硅氮化物膜之上形成导电膜。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中在形成 所述第一硅氮化物膜期间使用NH₂H₂N气体。

3.一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置包括非易失性 半导体存储元件，所述方法包括以下步骤：

形成包括源区、漏区和沟道形成区的半导体区；

在所述半导体区之上形成第一绝缘膜；

通过第一化学气相沉积方法，使用第一硅源气体和NH₃气体作 为源材料，在所述第一绝缘膜之上形成第一硅氮化物膜；

通过第二化学气相沉积方法，使用第二硅源气体和N₂气体作为 源材料，在所述第一硅氮化物膜之上形成第二硅氮化物膜；以及

在所述第二硅氮化物膜之上形成导电膜。

4.根据权利要求1或3所述的半导体装置的制造方法，还包括 在形成所述导电膜之前在所述第二硅氮化物膜之上形成第二绝缘膜 的步骤。

5.根据权利要求1或3所述的半导体装置的制造方法，其中在 相同的反应室中连续地形成所述第一硅氮化物膜和所述第二硅氮化 物膜。

6.根据权利要求1或3所述的半导体装置的制造方法，其中通 过等离子体CVD方法形成所述第一硅氮化物膜。

7.根据权利要求1或3所述的半导体装置的制造方法，其中通 过等离子体CVD方法形成所述第二硅氮化物膜。

8.根据权利要求1或3所述的半导体装置的制造方法，其中在 通过等离子体CVD方法形成所述第一硅氮化物膜时，将所述第一硅 氮化物膜形成于其上方的表面的温度设置为小于或等于600℃。

9.根据权利要求1或3所述的半导体装置的制造方法，其中在 通过等离子体CVD方法形成所述第二硅氮化物膜时，将所述第二硅 氮化物膜形成于其上方的表面的温度设置为小于或等于600℃。

10.根据权利要求1或3所述的半导体装置的制造方法，其中所 述第一硅源气体和所述第二硅源气体中的每一个是选自SiH₄、Si₂H₆、 SiCl₄、SiHCl₃、SiH₂Cl₂、SiH₃Cl₃和SiF₄中的气体。

11.根据权利要求1或3所述的半导体装置的制造方法，其中在 玻璃衬底和石英衬底之一的上方形成所述半导体区。

12.根据权利要求1或3所述的半导体装置的制造方法，其中在 半导体衬底中形成所述半导体区。

13.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其中所述 半导体衬底是单晶硅衬底、多晶硅衬底、单晶硅锗衬底、多晶硅锗衬 底、单晶锗衬底和多晶锗衬底中的任一种。

14.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其中所述 半导体衬底是SOI(绝缘体上硅)衬底、SGOI(绝缘体上硅锗)衬 底和GOI(绝缘体上锗)衬底中的任一种。