[发明专利]聚脲膜及其成膜方法有效
申请号: | 200880007921.3 | 申请日: | 2008-04-01 |
公开(公告)号: | CN101631889A | 公开(公告)日: | 2010-01-20 |
发明(设计)人: | 入仓钢;大森大辅;野口真淑 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科;小岛压力加工工业株式会社 |
主分类号: | C23C14/12 | 分类号: | C23C14/12;C08G18/08;C08G18/32 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 贾成功 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 聚脲膜 及其 方法 | ||
技术领域
本发明涉及通过真空蒸镀聚合法在基材上成膜的聚脲膜及其成膜 方法。
背景技术
以往,聚脲膜通过下述化1所示的二胺和二异氰酸酯的反应而形 成,例如有以下的(a)~(d)所示的方法。
(a)专利文献1中对于合成树脂被膜的形成方法(真空蒸镀聚合法) 进行了记载,该方法包括在真空处理室中使两种以上的原料单体蒸发、 在基材上使其聚合。其中,记载了原料单体被依次聚合(缩聚·加聚)、 形成利用4,4′-二苯基甲烷二异氰酸酯(芳香族二异氰酸酯)和4,4′- 二氨基二苯基醚(芳香族二胺)的聚脲(尿素树脂)被膜。
(b)专利文献2中对于在实施了金属被膜或者金属化合物被膜的 装饰品上通过蒸镀聚合而形成透明被膜进行了记载。具体而言,记载 了利用4,4′-二苯基甲烷二异氰酸酯(芳香族)和4,4′-二氨基苯基醚 (芳香族)的聚脲膜、或者利用4,4′-二苯基甲烷二异氰酸酯(芳香族) 和4,4′-二氨基-3,3′-二甲基二苯基甲烷(芳香族)的聚脲膜、或者、 利用4,4′-二异氰酸根合(ジイソシアネ一ト)-3,3′-二甲基二苯基(芳 香族)和4,4′-二苯基甲烷二胺(芳香族)的聚脲膜。
(c)专利文献3中对于使用脂肪族二异氰酸酯和脂肪族二胺作为 原料单体、通过蒸镀聚合形成聚脲进行了记载。其中,记载了使基材 为0℃以下的低温状态、例如通过1,9-二异氰酸根合壬烷(脂肪族)和 1,9-二氨基壬烷(脂肪族)的聚合而形成聚脲膜。
(d)专利文献4中记载了在使用低反应性单体的组合的情况下,通 过向基材上的原料单体供给反应所需要的能量来形成膜。其中,记载 了为了供给能量而加热基材,在聚氨酯膜的情况下,使基材温度为90 ℃,在聚酯膜的情况下,使基材温度为130℃。
如上述(a)、(b)的方法,通过真空蒸镀聚合法形成聚脲膜的情况 下,多使用芳香族二异氰酸酯和芳香族二胺作为原料单体,聚脲膜具 有无色透明的特征,但芳香族聚脲存在因时间的经过、紫外线曝光而 变色(在加速耐候试验后:ΔE=29.45)的问题。另外,对于要求膜具有 透明性的物品而言,如图1所示,由于膜的末端基团的芳香族异氰酸 酯与水反应而生成苯胺(同图(a)),进而,该苯胺和氧反应生成苯胺黑 (同图(b)),因此变色,存在不能使用芳香族聚脲的问题。
对于这些方法,如所述(c)、(d)的方法,认为在使用低反应性单 体进行蒸镀聚合的情况下,通过以芳香族烷基、脂环状或者脂肪族(不 产生苯胺黑的结构)的二异氰酸酯和二胺作为原料单体,可以得到透明 膜,但这些单体的反应性低,因此两种单体不反应而附着在基材上, 不能形成所希望的膜,或者,组成上产生不均,不能形成均匀的膜, 因此难以适用于形成批量生产品。
另外,所述(c)、(d)的方法中,还需要使基材温度降低或者升高。 在基材为金属或者无机物(导热性良好,不会像树脂那样在高温下软 化·可塑化·碳化)的情况、或如图2(a)所示保持在基材固定夹具1 上的基材1的形状平且薄(可以利用基材固定夹具及周围冷源均匀地 冷却、或者用热源均匀地加热)的情况下,可以控制基材温度,但如图 2(b)所示在基材2的表面具备立体结构的树脂成型品的情况下(以下 称为“树脂成型品”),存在非常难以使基材表面的温度均匀、另外非 常难以控制基材温度的问题。
专利文献1:特开昭61-078463号公报
专利文献2:特开平03-097849号公报
专利文献3:特开平08-283932号公报
专利文献4:特开平09-278805号公报
发明内容
因此,本发明的目的在于提供一种透明性、耐光性及批量生产性 优异的聚脲膜及其成膜方法。
为了解决上述课题,本发明人等进行了专心地研究,结果发现, 通过组合特定的二异氰酸酯单体和特定的二胺单体聚合来使用,可以 得到透明性及耐光性优异的聚脲膜,基于该知识见解,发现了下述解 决手段。
即,本发明的聚脲膜,如权利要求1所述,其是通过芳香族烷基、 脂环状或脂肪族二异氰酸酯的单体与芳香族烷基、脂环状或脂肪族二 胺单体的真空蒸镀聚合而得到的聚脲膜,其特征在于,所述二异氰酸 酯单体和所述二胺单体为从基材上脱离所需要的活化能的差为10kJ 以下的关系的单体。
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