[发明专利]用于等离子体处理装置的组合喷淋头电极组件的清洁硬件套件

说明书

背景技术

等离子体处理装置通过使用包括刻蚀、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、离子注入和光阻除去等技术来处理基片。用于等离子体处理的一种类型的等离子体处理装置包括包含上下电极的反应室。在电极间建立电场以将处理气体激励到等离子态以在该反应室中处理基片。

发明内容

依照本发明的一个方面，提供一种用于清洁用于等离子体处理装置的组合喷淋头电极的装置和方法。

用于清洁等离子体反应室的组合喷淋头电极的清洁套件，其中该组合喷淋头电极包括粘着于铝支承板的硅板，该套件包含电极载台，其支撑该组合喷淋头电极，该硅板朝上；处理支架，其具有底部和多个啮合该电极载台并支撑该电极载台的支柱；固定于该电极载台的第一侧的第一板和一个或多个固定构件，该固定构件啮合该铝板以支撑该组合喷淋头电极，该硅板露出以对其进行清洁；第二板，其固定于该电极载台的该第一侧以便该第一板位于该第二板和该组合喷淋头电极之间的空间，该第二板包括啮合该电极载台的该第一侧的密封垫以及进气口，通过该进气口将气体在一定压强下引入以使其流入该铝板中的气孔并流出该硅板中的相应气孔，该第二板允许在对该硅板的暴露表面的进行酸清洗的过程中将 气体流过该气孔；第三板，其固定于该电极载台的第二侧，该硅板朝上，该第三板包括啮合该电极载台的密封垫和进水口，通过该进水口将水在一定压强下引入，以使其流入该硅板中的气孔并流出该铝板中的相应气孔，该第三板允许低压水流过该气孔以在清洁该硅表面之后用水漂洗该组合喷淋头电极；干燥支架，其具有底部框架和多个柱，该底部框架支撑该电极载台和该组合喷淋头电极以便可以将该电极载台从该组合喷淋头电极移除而不用手接触该组合喷淋头电极；以及第四板，其包括啮合该底部框架的密封垫和进气口，通过该进气口将气体在一定压强下引入，以流入该硅板中的气孔并流出该铝板中的相应气孔，该第四板允许气体在水漂洗步骤之后干燥该组合喷淋头电极。

在另一个实施方式中，提供一种使用上述清洁套件清洁等离子体处理装置的组合喷淋头电极组件的方法，该方法包括在电极载台中支撑该组合喷淋头电极，在处理支架上放置该电极载台，固定该第一板，固定该第二板，将气体引入该第二板中的该进气口，同时对该硅板的暴露表面进行酸清洗，移除该第一和第二板，固定该第三板并将水引导通过该第三板中的进水口以漂洗该气孔，移除该第三板并将该电极载台放在该底部框架上，从该组合喷淋头电极移除该电极载台，将第四板固定于该干燥支架的柱上，将气体引入该第四板中的该进气口以干燥该组合喷淋头电极，移除该第四板，并将该组合喷淋头电极放入干燥箱中并支撑在该底部框架上。

附图说明

图1显示了固定组合喷淋头电极的电极载台(electrodecarrier)的一个实施方式。

图2A和2B显示了该电极载台的另一个实施方式的详细视图。

图3显示了图1中的该电极载台和电极，具有处理支架(treatment stand)的一个实施方式。

图4显示了将该电极保持在该载台上的星形板(spiderplate)的一个实施方式。

图5A和5B显示了该星形板的两个详细视图。

图6显示了安装在该电极载台上的图4中所示的该星形板的细节。

图7显示了图1的该电极载台，其中图4的星形板背离该处理支架和氮气吹扫板安装。

图8显示了图7中的安装在该星形板上方的该电极载台上的该吹扫板的细节。

图9显示了图3的该电极载台、电极和处理支架，该电极载台的星形板安装侧面对该处理支架和水漂洗板的一个实施方式。

图10显示图1的该电极载台和电极以及干燥支架的一个实施方式。

图11显示了图10所示的轨道支柱(rail supports)的详细视图。

图12显示了被部分移除的图10的该电极载台和放在该干燥支架的轨道支柱上的该电极。

图13显示了安装在图12的该干燥支架上的电极上方的氮气吹干板(blow dry plate)的一个实施方式。

具体实施方式

提供用于清洁硅电极组件表面的装置，其控制或消除酸处理、喷淋清洗、吹干、烘烤和装袋过程中对电极组件粘合材料可能的化学侵蚀并消除与待清洁部件的直接处理接触。该电极组件可能是新的、用过的或修复过的。还提供清洁硅电极组件的方法。

在半导体基片的等离子体处理过程中，希望使由室的组件引入该等离子体处理室的微粒的数量最少化。这种微粒(称为“添加物”)可能沉积在该基片上并因而减少处理产量。