[发明专利]像素面积减小的图像传感器有效

专利信息
申请号: 200880008428.3 申请日: 2008-02-20
公开(公告)号: CN101647118A 公开(公告)日: 2010-02-10
发明(设计)人: C·帕克斯 申请(专利权)人: 伊斯曼柯达公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张雪梅;王忠忠
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 像素 面积 减小 图像传感器
【说明书】:

技术领域

本发明总体上涉及CMOS有源像素图像传感器的领域,并且更特别 地,涉及减小像素的尺寸。

背景技术

图1示出了典型的CMOS有源像素图像传感器100。图像传感器100 的基本组件是光敏像素130的阵列。行解码器电路105选择一整行像素 130,将通过相关双采样(CDS)电路125采样该整行像素130。模数转 换器115扫描通过(scan across)列解码器并且数字化存储在CDS 125 中的信号。模数转换器115可以是每列具有一个转换器的类型(并行) 或具有一个高速转换器以串行地数字化每一列的类型。数字化的数据可 以直接从图像传感器100输出,或者可能存在用于缺陷校正、滤色插值、 图像缩放和其它特殊效果的集成图像处理120。定时发生器(timing generator)110控制行和列解码器以采样整个像素阵列或仅采样像素阵 列的一部分。

图2示出了用于CMOS图像传感器的许多不同可能的示意图中的一 个。示出了像素阵列的四个像素130(为了清楚仅标记了一个)。每个 像素130具有在两个光电二极管150和151之间共享的电路。可以在美 国专利5,625,210、5,841,159、5,949,061、6,107,655、6,160,281、 6,423,994和6,657,665中可以发现这一类型的像素和其它变型。

光电二极管150和151分别通过传输门152和153连接到共同共享 浮动扩散155。采样光电二极管150的过程开始于接通电源(VDD)158 以及也接通重置晶体管154,以将浮动扩散155电压设置到电源158的 电压。然后,断开重置晶体管154,并且由输出晶体管156采样的信号 电平被驱动到输出信号线157上。接着,传输门153被接通以将来自光 电二极管150的光生(photo-generated)信号电荷传输到浮动扩散155。 现在,输出晶体管156将驱动该信号电平电压到输出信号线157上。刚 好在重置之后的第一信号减去传输门153被施以脉冲(pulse)之后的 信号的差,与在光电二极管150中的电子的数目成比例。

以相同的方式通过传输门152采样第二光电二极管151。示出的该 像素130是两者共享的像素,因为两个光电二极管150和151共享共同 的浮动扩散155。在图3中示出了如何可以在硅衬底上物理地制造两者 共享的像素的示例。在图3中的编号组件对应于图2中的示意性符号。 多晶硅晶体管传输门是152和153;重置晶体管栅极是154,输出晶体 管栅极是156。金属线将浮动扩散接触155连接在一起。重置154和输 出156晶体管共享到电源线的共同扩散连接158。

图3的像素布局的缺点是如何减小像素的尺寸。在不存在相邻像素 之间的电子泄漏的风险的情况下,两个相邻像素之间的间隙160不能进 一步缩小。晶体管栅极154和156的尺寸不能缩小,因为电源的操作电 压确定它们的尺寸。减小电源电压不是有吸引力的选项,因为这也将减 小能够被光电二极管收集的光电子的最大数目。

本发明将解决该缺点和其它缺点,因为本发明公开了一种在无需减 小重置和输出晶体管栅极(gate)的尺寸的情况下减小像素尺寸的方法。

发明内容

本发明旨在克服了上述一个或多个问题。简单概述之,根据本发明 的一个方面,本发明在于一种图像传感器,该图像传感器包括布置在衬 底上的多个像素,每个像素包括:至少一个光敏区域,其响应于入射光 而收集电荷;电荷到电压转换节点,其用于感测来自该至少一个光敏区 域的电荷并且将该电荷转换为电压;放大器晶体管,其具有连接到输出 节点的源极、连接到电荷到电压转换节点的栅极以及连接到电源节点的 至少一部分的漏极;以及重置晶体管,其连接输出节点和电荷到电压转 换节点。

有益效果

本发明允许在不减小晶体管几何结构的尺寸的情况下减小图像传 感器像素尺寸。

附图说明

图1是现有技术的有源像素图像传感器;

图2是图1的像素的示意图;

图3是图1的平面图(顶视图);

图4是本发明的多个像素的示意图;

图5是图4的平面图(顶视图);

图6是通过图5晶体管的水平横截面;

图7是具有图4的像素的本发明的图像传感器;以及

图8是具有本发明的图像传感器的照相机。

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