[发明专利]半导体存储装置有效

专利信息
申请号: 200880008447.6 申请日: 2008-12-25
公开(公告)号: CN101632068A 公开(公告)日: 2010-01-20
发明(设计)人: 矢野浩邦;菅野伸一;檜田敏克;松崎秀则;橘内和也;浅野滋博 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: G06F12/00 分类号: G06F12/00;G06F3/06;G06F3/08;G06F12/02;G06F12/04;G06F12/08;G11C16/02
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 杨晓光;于 静
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 存储 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体存储装置,包括:

配置在易失性半导体存储器中的第一存储器区,其通过第一单位或更 小单位执行数据写入,所述第一单位是对所述半导体存储装置的存取单位;

配置在非易失性半导体存储器中的第二存储器区和第三存储器区,其 通过第二单位执行数据写入,并通过第三单位执行数据擦除,所述第三单 位是所述第二单位的两倍或更大的自然数倍;以及

控制器,其执行:

第一处理,用于通过所述第一单位将多个数据存储在所述第一存储器 区中;

第二处理,用于通过第一管理单位将从所述第一存储器区输出的数据 存储在所述第二存储器区中,所述第一管理单位是所述第一单位的两倍或 更大的自然数倍且小于所述第三单位;以及

第三处理,用于通过第二管理单位将从所述第一存储器区输出的数据 存储在所述第三存储器区中,所述第二管理单位是所述第一管理单位的两 倍或更大的自然数倍。

2.根据权利要求1的半导体存储装置,其中,在所述第二处理中,所 述控制器:

从所述第二和第三存储器区中的至少一个读取这样的数据,该数据构 成所述第一管理单位的数据且不存储在所述第一存储器区中;以及

将所述第一存储器区中所存储的数据与从所述第二和第三存储器区中 的至少一个读取的数据合并为所述第一管理单位的数据。

3.根据权利要求1的半导体存储装置,其中,在所述第三处理中,所 述控制器:

从所述第二和第三存储器区中的至少一个读取这样的数据,该数据构 成所述第二管理单位的数据且不存储在所述第一存储器区中;以及

将所述第一存储器区中所存储的数据与从所述第二和第三存储器区中 的至少一个读取的数据合并为所述第二管理单位的数据。

4.根据权利要求1的半导体存储装置,其中,所述控制器执行:

第四处理,用于选择将要从所述第二存储器区输出的所述第一管理单 位的数据;以及

第五处理,用于通过所述第二管理单位将包含所选择的数据的数据存 储在所述第三存储器区中。

5.根据权利要求4的半导体存储装置,其中,在所述第五处理中,所 述控制器:

通过将所述第四处理中所选择的数据的逻辑地址排列成所述第二管理 单位来计算逻辑地址范围;

从所述第一、第二和第三存储器区的至少一个读取在所述逻辑地址范 围中所包含的数据;以及

将所选择的数据与从所述第一、第二和第三存储器区中的至少一个读 取的数据合并为所述第二管理单位的数据。

6.根据权利要求1的半导体存储装置,其中:

所述第二和第三存储器区共享同一非易失性半导体存储器;以及

所述控制器将所述第三单位的区分别分配给所述第二和第三存储器 区。

7.根据权利要求1的半导体存储装置,其中,在所述第一处理中,所 述控制器:

通过将输入到所述半导体存储装置中的数据的逻辑地址排列成所述第 一管理单位来计算逻辑地址范围;以及

将所述第一单位的数据存储在所述第一存储器区中的与所述逻辑地址 范围相对应的所述第一管理单位的区中。

8.根据权利要求7的半导体存储装置,其中,在所述第一处理中,所 述控制器:

判断所述逻辑地址范围是否可用于将所述第一单位的数据存储在所述 第一存储器区中;以及

如果所述逻辑地址不可用,执行所述第二和第三处理中的至少一个。

9.根据权利要求1的半导体存储装置,其中所述控制器:

通过将将要从所述第一存储器区输出的数据的逻辑地址排列成所述第 二管理单位来计算逻辑地址范围;

对包含在所述逻辑地址范围中且存储在所述第一存储器区中的所述第 一管理单位的数据进行计数;

如果所计数的数据的数目小于预定阈值,执行所述第二处理;以及

如果所计数的数据的数目等于所述预定阈值或更大,执行所述第三处 理。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880008447.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top