[发明专利]制备碳酸铈粉体的方法

权利要求书

1.一种通过将一种铈前体溶液与一种碳酸根前体溶液混合并进行沉淀反应而制备碳酸铈粉体的方法，其中通过使用至少一种在分子式中含至少两个羟基(OH)的有机溶剂作为所述铈前体溶液和所述碳酸根前体溶液之一或两者的溶剂，和改变所述有机溶剂的分子式中所含碳或羟基(OH)的数目，来控制碳酸铈使其具有斜方晶体结构、六方晶体结构、或斜方晶/六方晶混合晶体结构。

2.权利要求1的方法，其中通过使用分子式中含3至10个碳的有机溶剂使所述碳酸铈粉体具有六方晶体结构。

3.权利要求1的方法，其中通过使用分子式中含2个碳的有机溶剂和通过调节反应温度在70至130℃范围内，控制所述碳酸铈粉体使其具有一种选自斜方晶体结构、斜方晶/六方晶混合晶体结构和六方晶体结构的晶体结构。

4.权利要求1的方法，其中所述有机溶剂含碳氢主链，和直接连于该主链上的官能团，所述官能团包括2-10个不论位置的羟基(OH)。

5.权利要求1的方法，其中所述铈前体溶液的铈前体包括硝酸铈或乙酸铈。

6.权利要求1的方法，其中所述碳酸根前体溶液的碳酸根前体包括碳酸铵。

7.权利要求1的方法，其中所述铈前体溶液含有重量比为1∶100至1∶1的铈前体和溶剂，并且所述碳酸根前体溶液含有重量比为1∶100至1∶1的碳酸根前体和溶剂。

8.权利要求1的方法，其中在所述沉淀反应中，铈前体对碳酸根前体的混合摩尔比在1∶0.1至1∶20的范围内。

9.权利要求1的方法，其中所述沉淀反应的温度为70℃至150℃，并且沉淀反应的时间在30分钟至60小时的范围内。

10.权利要求1的方法，其中所述沉淀反应在大气压下进行。

11.通过权利要求1至10中任一项的方法制得的碳酸铈粉体。

12.二氧化铈粉体，其通过在300℃至1500℃对权利要求11的碳酸铈粉体进行热处理而制得。

13.CMP浆体，含有作为磨蚀剂的权利要求12的二氧化铈粉体。