[发明专利]偶联电荷转移纳米管掺杂剂无效

专利信息
申请号: 200880008760.X 申请日: 2008-02-20
公开(公告)号: CN101636855A 公开(公告)日: 2010-01-27
发明(设计)人: A·G·林兹勒;J·R·雷诺兹;R·M·沃尔查克 申请(专利权)人: 佛罗里达大学研究基金公司
主分类号: H01L51/00 分类号: H01L51/00
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 林柏楠;刘金辉
地址: 美国佛*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 电荷 转移 纳米 掺杂
【权利要求书】:

1.一种掺杂剂偶联聚合物DCP,其包含:

聚合物;

多个能够提供或接受来自碳纳米管表面的电子的掺杂剂结构部分;和

将所述掺杂剂结构部分连接在所述聚合物上的连接结构部分。

2.权利要求1的DCP,其中所述聚合物包括具有线性、支化、超支化、 树枝状、星型体系结构,或为网络体系结构的均聚物或共聚物。

3.权利要求1的DCP,其中所述聚合物具有非共轭骨架。

4.权利要求1的DCP,其中所述聚合物具有部分或完全共轭的骨架。

5.权利要求1的DCP,其中所述掺杂剂结构部分包含受电子电荷转移 单元。

6.权利要求5的DCP,其中所述掺杂剂结构部分独立地包括如下物质 的衍生物:TCNQ类、卤化TCNQ类、1,1-二氰基乙烯类、1,1,2-三氰基乙 烯类、苯醌类、五氟苯酚、二氰基芴酮、氰基-氟烷基磺酰基芴酮类、吡啶 类、吡嗪类、三嗪类、四嗪类、吡啶并吡嗪类、苯并噻二唑类、杂环噻二 唑类、卟啉类、酞菁类;或者为受电子有机金属络合物。

7.权利要求1的DCP,其中所述掺杂剂结构部分包含供电子电荷转移 单元。

8.权利要求7的DCP,其中所述掺杂剂结构部分独立地包括四硫富瓦 烯(TTF)的衍生物、双亚乙基二硫-TTF(BEDT-TTF)、胺、多胺、四硒富瓦 烯类、稠合杂环类、杂环低聚物类,以及供电子有机金属络合物。

9.权利要求1的DCP,其中所述多个掺杂剂结构部分包含至少5个所 述掺杂剂结构部分。

10.权利要求1的DCP,其中所述连接结构部分包含其中1至约50 个原子在所述聚合物与所述掺杂剂结构部分之间线性连接在一起的非共轭 链。

11.权利要求1的DCP,其中所述连接结构部分包含其中4至约20 个原子在所述聚合物与所述掺杂剂结构部分之间线性连接在一起的非共轭 链。

12.权利要求1的DCP,其中所述连接结构部分包含具有或不具有选 自由O、S或N组成的组的杂原子的直链、支化或环状烃,或线性、支化 或环状硅氧烷。

13.权利要求1的DCP,其中所述连接结构部分包含其中1至约50 个原子在所述聚合物与所述掺杂剂结构部分之间线性连接在一起的共轭 链。

14.权利要求1的DCP,其还包含多个碳纳米管,其中多个所述掺杂 剂结构部分与所述碳纳米管表面形成电荷转移络合物。

15.一种掺杂碳纳米管的方法,其包括如下步骤:

提供包含至少一种具有多个掺杂剂结构部分的聚合物的DCP,该掺杂 剂结构部分借助连接结构部分连接在所述聚合物上;

提供至少一种碳纳米管;和

将所述聚合物与所述纳米管混合。

16.权利要求15的方法,其中所述提供所述DCP的步骤包括提供作 为液体的所述DCP。

17.权利要求15的方法,其中所述提供所述DCP的步骤包括提供溶 液中的所述DCP。

18.权利要求15的方法,其中所述提供所述DCP的步骤包括提供至 少一种单体和一种将所述单体聚合到所述DCP中的方法。

19.权利要求15的方法,其还包括在所述纳米管的存在下将所述DCP 交联的步骤。

20.权利要求15的方法,其还包括如下步骤:

提供能够掺杂所述纳米管的单体掺杂剂;和

除去所述单体掺杂剂,其中所述掺杂纳米管的掺杂水平为小于饱和。

21.一种掺杂的纳米管组合物,其包含:

至少一种碳纳米管;和

至少一种包含含多个掺杂剂结构部分的聚合物的DCP,所述掺杂剂结 构部分借助连接结构部分连接在所述聚合物上并能够提供或接受来自所述 碳纳米管表面的电子,其中所述纳米管的质量与所述DCP的质量之比为所 述组合物提供比电导率。

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