[发明专利]干燥和气化方法

权利要求书

1.一种由含碳物质生产合成气和/或处理含碳物质的方法，该方法包括下 述步骤：

a)降低所述含碳物质的表面水分；

b)降低所述含碳物质的固有水分；和

c)使所述含碳物质气化以产生合成气，

其中在步骤a)中，所述含碳物质与温度为50℃至250℃的热气体直 接接触，和/或所述含碳物质与温度为105℃至250℃的饱和蒸汽间接接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤a)中，所述热气体为来自燃 烧过程的废气，或者，所述热气体在接触所述含碳物质之前由废热间接加 热。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中在步骤a)中，所述含碳物质在 与所述热气体接触时至少被部分流化。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述含碳物质在步骤a) 之后和步骤b)之前的温度为25℃至100℃，并且所述含碳物质的部分或 大多数表面水分被除去。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中在步骤b)中，所述含 碳物质与温度为100℃至300℃的热气体直接接触，和/或所述含碳物质与 温度为150℃至250℃的饱和蒸汽间接接触。

6.根据权利要求5所述的方法，其中在步骤b)中，所述热气体为来自燃 烧过程的废气，或者所述热气体在接触所述含碳物质之前由废热间接加 热。

7.根据权利要求6所述的方法，其中在步骤b)中，所述热气体的氧含量 低于空气的氧含量，其中所述热气体中的氧含量为2体积％～15体积％。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的方法，其中在步骤b)中，所述含 碳物质在与所述热气体接触时至少被部分流化。

9.根据权利要求5至8中任一项所述的方法，其中在步骤b)之后和步骤 c)之前，所述含碳物质的温度为80℃至150℃并且所述含碳物质的含水量 为2重量％～20重量％。

10.根据权利要求5至10中任一项所述的方法，其中在所述热气体直接接 触所述含碳物质之后产生的、来自步骤a)和/或步骤b)的排气被导至水 回收处理步骤，以回收从所述含碳物质去除的水分。

11.根据权利要求5至11中任一项所述的方法，其中对在所述热气体直接 接触所述含碳物质之后产生的、来自步骤a)和/或步骤b)的排气进行处 理，以除去由所述含碳物质产生的可能有害的气态化合物，例如氨和氰化 氢。

12.根据权利要求1至11中的任一项所述的方法，其中工艺步骤a)和b) 在诸如部分流化床反应器的相同容器中进行。

13.根据权利要求1至12中的任一项所述的方法，其中在工艺步骤c)中， 所述含碳物料与温度为500℃至1000℃的热气体接触，生成合成气气流和 固体炭。

14.根据权利要求13所述的方法，其中在工艺步骤c)中，所述含碳物料 通过所述含碳物料的低温氧化而至少被部分加热。

15.根据权利要求14所述的方法，其中在步骤c)中，在所述热气体与所 述含碳物料接触之前向所述热气体添加氧以控制所述含碳物料的低温氧 化程度。

16.根据权利要求1至12中任一项所述的方法，其中在工艺步骤c)中， 所述含碳物料与温度为200℃至500℃的热气体接触，产生低CV合成气气 流和至少部分热解的含碳物质。

17.根据权利要求16所述的方法，其中在工艺步骤c)中，所述含碳物料 通过所述含碳物料的低温氧化而至少被部分加热。

18.根据权利要求17所述的方法，其中在步骤c)中在所述热气体与所述 含碳物料接触之前向所述热气体添加氧以控制所述含碳物料的低温氧化 程度。

19.根据权利要求1至18中任一项所述的方法，其中燃烧通过所述方法生 产的合成气以形成在步骤a)、步骤b)和/或步骤c)中利用的热气体和/ 或废热。