[发明专利]半导体装置及用于形成硅化物层的方法

权利要求书

1、一种方法，其包括：

在电子装置的第一及第二含硅器件中的每一者上方沉积第一含金属层；

执行第一退火过程以使所述第一含金属层与所述第一及第二含硅器件中的每一者起化学反应，从而分别形成第一及第二硅化区；

在所述第一及第二硅化区上方形成保护层；

在所述保护层中蚀刻开口以暴露所述第一硅化区同时继续掩蔽所述第二硅化区；

在所述第一硅化区上方沉积第二含金属层；及

执行第二退火过程以使所述第二含金属层与所述第一硅化区起化学反应。

2、如权利要求1所述的方法，其中将所述第一及第二含金属层中的至少一者选择为元素金属材料。

3、如权利要求1所述的方法，其中将所述第一及第二含金属层中的至少一者选择为化合物金属材料。

4、如权利要求1所述的方法，其中制作所述第一含硅特征器件以形成晶体管栅极区。

5、如权利要求1所述的方法，其中制作所述第二含硅器件以形成晶体管源极/漏极区。

6、如权利要求1所述的方法，其中选择所述含金属层中的至少一者以包含钴。

7、如权利要求1所述的方法，其中选择所述含金属层中的至少一者以包含镍。

8、如权利要求1所述的方法，其中将所述保护层选择为介电材料。

9、一种方法，其包括：

在电子装置的第一及第二含硅器件中的每一者上方沉积第一含金属层；

执行第一退火过程以使所述第一含金属层与所述第一及第二含硅器件中的每一者起化学反应，从而分别形成第一及第二硅化区；

在所述第一及第二硅化区上方形成介电保护层；

形成大致覆盖所述电子装置上的器件的间隙填充介电层，在所述介电保护层中蚀刻开口以暴露所述第一硅化区同时继续掩蔽所述第二硅化区；

在所述第一硅化区上方沉积第二含金属层；及

执行第二退火过程以使所述第二含金属层与所述第一硅化区起化学反应。

10、如权利要求9所述的方法，其进一步包括：

平面化所述间隙填充介电层使得在蚀刻所述开口之前，其与所述保护层的最上部分大致共面。

11、如权利要求9所述的方法，其中将所述第一及第二含金属层中的至少一者选择为元素金属材料。

12、如权利要求9所述的方法，其中将所述第一及第二含金属层中的至少一者选择为化合物金属材料。

13、如权利要求9所述的方法，其中制作所述第一含硅器件以形成晶体管栅极区。

14、如权利要求9所述的方法，其中制作所述第二含硅器件以形成晶体管源极/漏极区。

15、如权利要求9所述的方法，其中选择所述含金属层中的至少一者以包含钴。

16、如权利要求9所述的方法，其中选择所述含金属层中的至少一者以包含镍。

17、一种电子装置，其包括：

源极及漏极区，每一区均具有由第一硅化物组成的最上部分，所述第一硅化物上覆有第一介电层；及

栅极区，其具有包含第二硅化物的最上部分，所述第二硅化物既比所述第一硅化物厚又具有比所述第一硅化物低的电阻率，所述第二硅化物的至少一部分形成在所述第一介电层中的开口中。

18、如权利要求17所述的电子装置，其进一步包括经平面化的第二介电层，所述经平面化的第二介电层与所述第一介电层的一部分的最上表面大致共面。

19、如权利要求17所述的电子装置，其中所述第一及第二硅化物中的至少一者部分地由钴组成。

20、如权利要求17所述的电子装置，其中所述第一及第二硅化物中的至少一者部分地由镍组成。