[发明专利]软磁性薄带、磁芯、磁性部件及制备软磁性薄带的方法

权利要求书

1.一种软磁性薄带，其包含：基体，其中晶粒粒径为60nm以下但不 包括0的晶粒以30％以上的体积分数分散在非晶形相中；和在所述基体的表 面侧形成的非晶形层；晶体层，所述的晶体层包含晶体组织，形成于所述 软磁性薄带的顶表面上；其中所述非晶形层形成在所述晶体层内侧，其中 所述软磁性薄带由组成式Fe_100-x-yA_xX_y表示，其中A是选自Cu和Au中的至少 一种元素；X由B和选自由Si，S，C，P，Al，Ge，Ga和Be组成的组中的 至少一种元素组成；B的含量范围为10原子％以上且20原子％以下；并且按 原子％计，x和y分别由0＜x≤5和10≤y≤24定义。

2.根据权利要求1所述的软磁性薄带，其包含在所述非晶形层和所述 基体之间的粗晶粒层，其中所述粗晶粒层包含粒径大于所述基体中的所述 晶粒的平均粒径的晶体。

3.根据权利要求1所述的软磁性薄带，其中在施加磁场后的剩余磁通 量密度Br与在80A/m的磁场中的磁通量密度B₈₀的比率Br/B₈₀为90％以上。

4.一种磁芯，其包含根据权利要求1的软磁性薄带，其中在1.5T的磁 通量密度和50Hz，所述磁芯的铁损为0.5W/kg以下。

5.一种软磁性薄带，其包含：在离所述薄带的表面的深度为120nm 的位置的基体，其中晶粒粒径为60nm以下但不包括0的晶粒以30％以上的 体积分数分散在非晶形相中；和在离所述薄带的表面为小于120nm的深度 形成的非晶形层；晶体层，所述的晶体层包含晶体组织，形成于所述软磁 性薄带的顶表面上；其中所述非晶形层形成在所述晶体层内侧，其中所述 软磁性薄带由组成式Fe_100-x-yA_xX_y表示，其中A是选自Cu和Au中的至少一种 元素；X由B和选自由Si，S，C，P，Al，Ge，Ga和Be组成的组中的至少 一种元素组成；B的含量范围为10原子％以上且20原子％以下；并且按原子 ％计，x和y分别由0＜x≤5和10≤y≤24定义。

6.根据权利要求5所述的软磁性薄带，其包含在所述非晶形层和所述 基体之间的粗晶粒层，其中所述粗晶粒层包含粒径大于所述基体中的所述 晶粒的平均粒径的晶体。

7.一种磁芯，其使用根据权利要求5的软磁性薄带，其中所述磁芯的 铁损为0.65W/kg以下，所述铁损是在1.6T的磁通量密度和50Hz的频率测 量的。

8.一种磁性部件，其包含根据权利要求1至3和5至6中任何一项所述的 软磁性薄带或根据权利要求4或7的磁芯。

9.一种用于制备根据权利要求1至3和5至6中任何一项所述的软磁性 薄带的方法，该方法包括以下步骤：将含有Fe和准金属元素的熔融合金快 速冷却，以制备Fe-基合金，所述Fe-基合金包含其中平均粒径为30nm以下 但不包括0nm的晶粒以大于0％并且小于30％的体积分数分散在非晶形相 中的组织；和将所述的Fe-基合金进行退火，以形成其中平均粒径为60nm 以下的体心立方结构的晶粒以30％以上的体积分数分散在所述的非晶形相 中的组织，其中进行所述退火步骤使得在300℃以上的平均升温速度为 100℃/min以上。

10.根据权利要求9所述的用于制备软磁性薄带的方法，其中所述Fe- 基合金由组成式Fe_100-x-yA_xX_y表示，其中A是选自Cu和Au中的至少一种元 素；X是选自由B，Si，S，C，P，Al，Ge，Ga和Be组成的组中的至少一 种元素；并且按原子％计，x和y分别由0＜x≤5和10≤y≤24定义。