[发明专利]纳米级离子贮存材料无效

专利信息
申请号: 200880009462.2 申请日: 2008-01-31
公开(公告)号: CN101669234A 公开(公告)日: 2010-03-10
发明(设计)人: Y-M·蒋;A·S·高德兹;M·W·佩恩 申请(专利权)人: A123系统公司
主分类号: H01M4/58 分类号: H01M4/58;C01B25/45
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 李 帆
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 纳米 离子 贮存 材料
【说明书】:

相关申请

[0001]本申请是2006年4月3日提交的题为Nanoscale Ion Storage Materials的美国专利申请No.11/396,515的部分继续且依 据35U.S.C.§120要求其优先权,该美国专利申请No.11/396,515 要求于2005年8月8日提交的美国临时专利申请No.60/706,273和 2005年12月2日提交的美国临时专利申请No.60/741,606的优先权 权益,通过引用将这些专利申请的内容整体并入本文。

背景技术

技术领域

[0002]本领域包括离子贮存材料,并且特别是用于例如蓄电池的 装置中的纳米级离子贮存材料。

相关技术概述

[0003]离子贮存材料广泛应用于蓄电池及其它电化学装置。包括 碱过渡金属磷酸盐的多种离子贮存材料是已知的。这类化合物典型地 具有约3g/cm3-5g/cm3的晶体比重值,并且可以按许多结构类型结晶。 例子包括橄榄石(AxMXO4)、NASICON(Ax(M’,M”)2(XO4)3)、VOPO4、LiVPO4F、 LiFe(P2O7)或Fe4(P2O7)3结构类型的有序或部分无序结构,其中A为碱 离子,且M、M’和M”为金属。许多这样的化合物具有比电化学应用 的理想值低的相对低的电子传导率和碱离子传导率。许多这样的化合 物还表现出有限的固溶范围。例如,科技文献中广泛报道的LiFePO4在室温下具有极其有限的固溶范围。

[0004]文献中报道了“纳米晶体”离子贮存材料。例如,Prosini 等在“A New Synthetic Route for Preparing LiFePO4 with Enhanced Electrochemical Performance,”J.Electrochem.Soc.,149:A886- A890(2002)中描述了作为纳米晶体的比表面积为8.95m2/g的LiFePO4。 然而,这些材料虽然略有改进,但不具有足够小的尺度以提供与它们 的较大尺度的对应物常规离子贮存材料相比显著不同的性能(例如, 在超过5C的高倍率下接近理论的容量)。

概述

[0005]提供了纳米级离子贮存材料,这些材料表现出与它们的较 大尺寸的对应物显著不同的独特性能。例如,公开的纳米级材料可表 现出提高的电子传导率、改善的电机械稳定性、提高的插层率和扩展 的固溶范围。

[0006]在一个方面,提供了用作离子贮存材料的锂过渡金属磷酸 盐材料,该材料包括至少两个共存相,包括富锂过渡金属磷酸盐相和 贫锂过渡金属磷酸盐相,其中该两相之间的摩尔体积百分比差异小于 约6.5%。

[0007]在一个或多个实施方案中,锂过渡金属磷酸盐材料的两相 之间的摩尔体积百分比差异小于约6.40%、或小于约6.25%、或小于约 5.75%、或小于约5.5%。

[0008]在一个或多个实施方案中,锂过渡金属磷酸盐材料的所述 至少两个存在相是晶态并且由具有各主轴的晶格参数的晶胞所限定, 并且其中所述晶胞的至少两个主轴的晶格参数的差异小于3%。

[0009]在一个或多个实施方案中,晶胞所有主轴的晶格参数的差 异小于4.7%,或晶胞所有主轴的晶格参数的差异小于4.5%,或晶胞所 有主轴的晶格参数的差异小于4.0%,或晶胞所有主轴的晶格参数的差 异小于3.5%。

[0010]在一个或多个实施方案中,锂过渡金属磷酸盐材料的任两 个主轴的晶格参数最小乘积的差异小于1.6%,或任两个主轴的晶格参 数最小乘积的差异小于1.55%,或任两个主轴的晶格参数最小乘积的 差异小于1.5%,或任两个主轴的晶格参数最小乘积的差异小于1.35%, 或任两个主轴的晶格参数最小乘积的差异小于1.2%,或任两个主轴的 晶格参数最小乘积的差异小于1.0%。

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