[发明专利]外延膜、压电元件、铁电元件、它们的制造方法以及液体排出头

权利要求书

1.外延膜的制造方法，包括：

在只是惰性气体中通过使用由以下组成式(1)表示的金属靶在加 热的Si衬底的表面上设置的具有1.0nm～10nm膜厚的SiO₂层上形成 外延膜；和

随后在含氧气体中通过使用该金属靶形成该外延膜，

yA(1-y)B                                           (1)，

其中A为选自由包括Y和Sc的稀土元素组成的组的一种或多种元 素，B为Zr，且y为0.03～0.20的数值，

其中该外延膜由以下组成式(2)表示：

xA₂O₃-(1-x)BO₂                                     (2)，

其中A和B为分别与组成式(1)中的A和B相同的元素，且x 为0.010～0.035的数值。

2.根据权利要求1的外延膜的制造方法，其中该外延膜由其中A 为Y的组成式(2)表示，并具有晶格常数为0.515nm～0.518nm的晶 体结构。

3.根据权利要求1的外延膜的制造方法，其中在成膜中使用溅射 法。

4.根据权利要求1的外延膜的制造方法，其中将该Si衬底加热 至400℃～760℃。

5.外延元件的制造方法，包括：

通过使用根据权利要求1的外延膜的制造方法在Si衬底上形成外 延膜；

设置第一电极层；

在该Si衬底上设置(100)取向、(001)取向、(110)取向、 (111)取向或其中(100)取向和(001)取向混合存在的取向的压电 层；和

设置第二电极层。

6.铁电元件的制造方法，包括：

通过使用根据权利要求1的外延膜的制造方法在Si衬底上形成外 延膜；

设置第一电极层；

在该Si衬底上设置(111)取向的铁电层；和

设置第二电极层。