[发明专利]气体供给方法和气体供给装置

权利要求书

1.一种气体供给方法，其用于将原料气体供给至消耗区域，该原 料气体通过对原料容器内的固体原料进行加热并使其气化而得到，该 气体供给方法的特征在于，包括：

工序(a)，使载气在与消耗区域连通的处理气体供给路内流通， 同时测定该处理气体供给路内的气体压力；

工序(b)，对所述原料容器内的固体原料进行加热，产生原料气 体；

工序(c)，将与所述工序(a)相同流量的载气供给至所述原料容 器内，使所述原料气体与该载气一起在所述处理气体供给路内流通， 同时测定该处理气体供给路内的气体压力；和

工序(d)，根据在所述工序(a)中取得的压力测定值、在所述工 序(c)中取得的压力测定值和载气流量，计算所述原料气体的流量，

其中，原料气体流量与载气流量的流量比在1/100以下。

2.如权利要求1所述的气体供给方法，其特征在于：

在所述工序(d)后，进行如下工序，

根据在该工序(d)中得到的所述原料气体的流量计算值、和预先 设定的所述原料气体的流量设定值，控制所述固体原料的加热温度， 调节所述原料气体的流量。

3.如权利要求1或2所述的气体供给方法，其特征在于：

从所述原料容器到所述消耗区域的处理气体供给路的内径为0.75 英寸以上。

4.如权利要求1或2所述的气体供给方法，其特征在于：

所述消耗区域是用于在真空气氛下使所述原料气体分解对处理容 器内的基板进行成膜处理的处理模块。

5.一种气体供给装置，将原料气体供给至消耗区域，该原料气体 通过对原料容器内的固体原料进行加热并使其气化而得到，该气体供 给装置的特征在于，具备：

用于贮存固体原料的原料容器；

用于对原料容器内的固体原料进行加热的加热单元；

设置在载气源与所述原料容器之间的载气导入路；

设置在所述原料容器与所述消耗区域之间的处理气体供给路；

设置在所述载气导入路与所述处理气体供给路之间的旁路；

设置在所述处理气体供给路中与所述旁路的连接位置的下游侧的 压力测定部；

流路切换单元，用于将所述载气的流路在经由所述旁路从所述载 气导入路向所述处理气体供给路流通的流路、和经由所述原料容器从 所述载气导入路向所述处理气体供给路流通的流路之间进行切换；和

计算在所述处理气体供给路内流通的所述原料气体的流量的控制 部，其中，

所述控制部，

存储基准数据，该基准数据包括在使所述载气经由所述旁路在所 述处理气体供给路内流通的状态下，由所述压力测定部取得的压力测 定值和此时载气的流量，

然后，不改变该载气的流量，在使载气和原料气体经由所述原料 容器在所述处理气体供给路内流通的状态下，由所述压力测定部取得 压力测定值，

根据此时的压力测定值和所述基准数据，计算此时的原料气体的 流量。

6.如权利要求5所述的气体供给装置，其特征在于：

所述控制部根据所述原料气体的流量的计算值和预先设定的所述 原料气体的流量设定值，控制对所述加热单元的供给电力，调节所述 原料气体的流量。

7.如权利要求5或6所述的气体供给装置，其特征在于：

所述处理气体供给路的内径为0.75英寸以上。

8.一种半导体制造装置，其特征在于，具备：

权利要求5～7中任一项所述的气体供给装置；和

处理模块，其具有作为所述消耗区域的处理容器，用于在该处理 容器内，在真空气氛下使所述原料气体分解，对基板进行成膜处理，

所述控制部在所述处理模块中进行的多个成膜方案的每个中，具 备所述基准数据。