[发明专利]等离子体处理装置的干式清洁方法有效

专利信息
申请号: 200880009987.6 申请日: 2008-05-28
公开(公告)号: CN101647099A 公开(公告)日: 2010-02-10
发明(设计)人: 植田昌久;小风丰;远藤光广;邹红罡 申请(专利权)人: 株式会社爱发科
主分类号: H01L21/3065 分类号: H01L21/3065;H01L41/187;H01L21/8246;H01L41/22;H01L27/105
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 代理人: 王 琦;王珍仙
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 等离子体 处理 装置 清洁 方法
【权利要求书】:

1.一种等离子体处理装置的干式清洁方法,所述等离子体处理装置包括:

真空容器,具备电介质部件,

平面电极和高频天线,设置在所述电介质部件的外侧,和

高频电源,用于通过分别对所述高频天线和所述平面电极供给高频功率、通过所述电介质部件将高频功率输入到所述真空容器内产生感应耦合等离子体,

其特征在于,所述方法包括:

将含氟气体以20sccm~100sccm的流量导入到所述真空容器内的同时,利用所述高频电源将高频功率输入到所述真空容器内使压力为0.3Pa~5Pa的所述含氟气体产生感应耦合等离子体的工序;和

利用该感应耦合等离子体生成附着在所述电介质部件上的含有贵金属和强电介质中的至少一方的氟化物的工序。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置的干式清洁方法,

所述含氟气体为氟化硫气体、氟化氮气体、氟化碳气体中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置的干式清洁方法,

所述贵金属含有选自铂、铱、钌、铑、钯、锇、氧化铱、氧化钌、钌酸锶中的一种或两种以上。

4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置的干式清洁方法,

所述强电介质含有选自PZT(Pb(Zr,Ti)O3)、SBT(SrBi2Ta2O9)、BTO(Bi4Ti3O12)、BLT((Bi,La)4Ti3O12)、BTO(BaTiO3)中的一种或两种以上。

5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置的干式清洁方法,

所述贵金属和强电介质中的至少一方为用于强电介质存储器的存储元件的构成材料。

6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置的干式清洁方法,

所述贵金属和强电介质中的至少一方为用于致动器或压电元件的构成材料。

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