[发明专利]等离子体处理装置的干式清洁方法有效
| 申请号： | 200880009987.6 | 申请日： | 2008-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101647099A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 植田昌久;小风丰;远藤光广;邹红罡 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L41/187;H01L21/8246;H01L41/22;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王 琦;王珍仙 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 清洁 方法 | ||
1.一种等离子体处理装置的干式清洁方法，所述等离子体处理装置包括：
真空容器，具备电介质部件，
平面电极和高频天线，设置在所述电介质部件的外侧，和
高频电源，用于通过分别对所述高频天线和所述平面电极供给高频功率、通过所述电介质部件将高频功率输入到所述真空容器内产生感应耦合等离子体，
其特征在于，所述方法包括：
将含氟气体以20sccm～100sccm的流量导入到所述真空容器内的同时，利用所述高频电源将高频功率输入到所述真空容器内使压力为0.3Pa～5Pa的所述含氟气体产生感应耦合等离子体的工序；和
利用该感应耦合等离子体生成附着在所述电介质部件上的含有贵金属和强电介质中的至少一方的氟化物的工序。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置的干式清洁方法，
所述含氟气体为氟化硫气体、氟化氮气体、氟化碳气体中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置的干式清洁方法，
所述贵金属含有选自铂、铱、钌、铑、钯、锇、氧化铱、氧化钌、钌酸锶中的一种或两种以上。
4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置的干式清洁方法，
所述强电介质含有选自PZT(Pb(Zr，Ti)O3)、SBT(SrBi2Ta2O9)、BTO(Bi4Ti3O12)、BLT((Bi，La)4Ti3O12)、BTO(BaTiO3)中的一种或两种以上。
5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置的干式清洁方法，
所述贵金属和强电介质中的至少一方为用于强电介质存储器的存储元件的构成材料。
6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置的干式清洁方法，
所述贵金属和强电介质中的至少一方为用于致动器或压电元件的构成材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社爱发科，未经株式会社爱发科许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880009987.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：口腔隔离套
- 下一篇：一种低成本加热马桶盖
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
