[发明专利]有机薄膜晶体管基板及其制造方法、以及图像显示面板及其制造方法

权利要求书

1.一种有机薄膜晶体管基板的制造方法，其中，上述有机薄膜晶体 管基板在基板上的第1区域形成有机薄膜晶体管，具有与上述第1区域邻 接并用于形成发光元件的第2区域，在上述第2区域的周缘部形成堤坝部；

该制造方法包括：

第1工序，在上述基板上的上述第1区域形成有机薄膜晶体管，其中， 上述有机薄膜晶体管至少包括：栅电极、栅绝缘层、形成在该栅绝缘层的 相对于上述栅电极相反侧的源电极及漏电极、以及与形成在上述栅绝缘层 的相对于上述栅电极相反侧的上述源电极及上述漏电极双方相连的有机 半导体层；并且在该第1工序中，一直到上述第2区域都形成上述栅绝缘 层及上述有机半导体层中的至少一层，并在上述第2区域形成由形成在该 区域上的叠层结构构成的堤坝前驱体层；以及

第2工序，有选择地去除上述堤坝前驱体层中的上述周缘部以外的区 域，形成由残存的上述堤坝前驱体层构成的上述堤坝部。

2.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管基板的制造方法，其特征 在于，

在上述第1工序中，

在上述基板上的上述第1区域形成栅电极，

在上述基板上的上述第1区域及上述第2区域形成覆盖上述栅电极的 栅绝缘层，

在上述第1区域的上述栅绝缘层上形成源电极及漏电极，

在上述第1及第2区域的上述栅绝缘层上形成覆盖上述源电极及上述 漏电极的有机半导体层，

在包含上述第1区域、和上述第2区域中的上述周缘部的区域的上述 有机半导体层上形成掩模层；

在上述第2工序中，

通过进行蚀刻，有选择地去除没有被上述掩模层覆盖的区域的上述堤 坝前驱体层。

3.根据权利要求2所述的有机薄膜晶体管基板的制造方法，其特征 在于，

在上述第1工序中，

至少在形成上述栅绝缘层之前，在上述基板上的上述第2区域形成上 述发光元件用的下部电极，

在形成上述栅绝缘层之后，在该栅绝缘层的一部分上设置开口，

在上述漏电极形成时或形成后，通过上述开口使上述漏电极和上述下 部电极连接；

在上述第2工序中，

有选择地去除在上述第2区域的上述下部电极上形成的上述堤坝前驱 体层。

4.根据权利要求2或3所述的有机薄膜晶体管的制造方法，其特征 在于，

在上述第1工序中，在上述有机半导体层和上述掩模层之间形成保护 层。

5.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管基板的制造方法，其特征 在于，

在上述第1工序中，

在上述基板上的上述第1区域形成上述源电极及上述漏电极，

在上述基板上的上述第1及第2区域形成覆盖上述源电极及上述漏电 极的上述有机半导体层，

在上述第1及第2区域的上述有机半导体层上形成上述栅绝缘层，

在上述第1区域的上述栅绝缘层上形成上述栅电极，

在包含上述第1区域、和上述第2区域中的上述周缘部的区域的上述 栅绝缘层上形成覆盖上述栅电极的掩模层；

在上述第2工序中，

通过进行蚀刻有选择地去除没有被上述掩模层覆盖的区域的上述堤 坝前驱体层。

6.根据权利要求5所述的有机薄膜晶体管基板的制造方法，其特征 在于，

在上述第1工序中，

至少在形成上述有机半导体层之前，在上述基板上的上述第2区域形 成上述发光元件用的下部电极，

在上述漏电极形成时或形成后，使上述漏电极和上述下部电极连接；

在上述第2工序中，

有选择地去除在上述第2区域的上述下部电极上形成的上述堤坝前驱 体层。

7.根据权利要求5或6所述的有机薄膜晶体管基板的制造方法，其 特征在于，

在上述第1工序中，在上述栅绝缘层和上述掩模层之间形成保护层。