[发明专利]三维交叉杆阵列系统以及用于向三维交叉杆阵列结写信息和读取在其中存储的信息的方法

权利要求书

1.一种可配置的三维交叉杆阵列系统(1000)，包括：

多个交叉杆阵列(1102-1104)，每个交叉杆阵列包含第一层纳米线 (702-704)、叠加在所述第一层纳米线上的第二层纳米线(706-708)、叠 加在所述第二层纳米线上的第三层纳米线(710-712)，以及位于三个叠加 纳米线的交叉处的交叉杆结(810)；

第一多路分离器(1106)，配置成寻址每个交叉杆阵列的所述第一层 纳米线中的至少一部分纳米线；

第二多路分离器(1108)，配置成寻址每个交叉杆阵列的所述第二层 纳米线中的至少一部分纳米线；以及

第三多路分离器(1110)，配置成向每个交叉杆阵列的所述第三层纳 米线中的至少一部分纳米线提供信号。

2.如权利要求1所述的系统，其中第二层中的每个纳米线叠加在第 一层中的每个纳米线上，并且第三层中的每个纳米线叠加在第二层中的 每个纳米线上。

3.如权利要求1所述的系统，其中所述交叉杆结还包括晶体管 (812-814)，所述晶体管可操作地连接到第二层纳米线中的纳米线(804)， 并且可作为开关进行操作以控制在第一层纳米线中的纳米线(802)与第 三层纳米线中的纳米线(806)之间的电流流动。

4.如权利要求3所述的系统，其中所述晶体管还包括如下其中之一：

半导体上金属场效应晶体管；

NPN双极结型晶体管(812-814)；以及

PNP双极结型晶体管。

5.如权利要求1所述的系统，其中所述交叉杆结还包括如下其中之 一：

线性滞后电阻器；

非线性滞后电阻器；以及

电容器。

6.一种可配置的三维交叉杆阵列(500)系统，包括：

多个二维交叉杆存储器阵列系统(602-604)，每个二维交叉杆存储器 阵列系统包含由第一多路分离器(607)寻址的第一层纳米线(102)、由第 二多路分离器(608)寻址的第二层纳米线(104)以及位于两个叠加的纳米 线的交叉处的交叉杆结；以及

交叉杆阵列多路分离器(610)，配置成向每个二维交叉杆存储器阵列 的所述第一多路分离器发射第一使能信号，并向每个二维交叉杆存储器 阵列的所述第二多路分离器发射第二使能信号。

7.如权利要求6所述的系统，其中所述第一和第二层的纳米线还包 括如下其中之一：

导电材料；以及

半导体材料。

8.如权利要求6所述的系统，其中第二层中的每个纳米线叠加在第 一层中的每个纳米线上。

9.如权利要求6所述的系统，其中第一层纳米线中的每个纳米线经 由电阻器结(206)与第二层纳米线中的每个纳米线电通信。

10.如权利要求9所述的系统，其中所述电阻器结(206)还包括如下 其中之一：

线性滞后电阻器；

非线性滞后电阻器；以及

不可逆电阻器。