[发明专利]等离子加工设备有效

专利信息
申请号: 200880010562.7 申请日: 2008-03-28
公开(公告)号: CN101647101A 公开(公告)日: 2010-02-10
发明(设计)人: 岩崎征英 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01L21/3065 分类号: H01L21/3065;H01L21/205;H05H1/46
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 田军锋;魏金霞
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 等离子 加工 设备
【权利要求书】:

1.一种利用等离子加工基体的等离子加工设备,所述等离子加工设 备包括:

加工腔体,其容纳要进行预定的等离子加工的基体,且可以被排放 至减小的压力;

微波发生器,其产生用于形成等离子体的微波;

导波管,其将微波从微波发生器传输到加工腔体;

导波管/同轴管转换器,其连接到导波管的一端;

同轴管,其形成微波从导波管-同轴管转换器传输到加工腔体所要 通过的线路,其中,同轴管的内部导体具有中空部分;和

第一加工气体供应部分,其通过同轴管的内部导体的中空部分将加 工气体提供给加工腔体;

介电窗口,其中心部分形成有凹入部分,喷射部分从上方经由密封 元件装入形成在所述凹入部分中,通过所述喷射部分向加工腔体中喷射 加工气体。

2.如权利要求1所述的等离子加工设备,进一步包括:

基座,在加工腔体中其上放置基体;

其中

所述介电窗口用于将微波导入加工腔体,

其中介电窗口充当与基座相对的顶面。

3.如权利要求2所述的等离子加工设备,其特征在于,所述介电窗口 设置有与内部导体的中空部分相通的气体喷射开口。

4.如权利要求2所述的等离子加工设备,其特征在于,所述介电窗 口是平面天线的一个组成元件。

5.如权利要求4所述的等离子加工设备,其特征在于,所述平面天线 电磁耦合到同轴管的一端。

6.如权利要求4所述的等离子加工设备,其特征在于,所述平面天线 为缝隙天线。

7.如权利要求6所述的等离子加工设备,其特征在于,所述缝隙天线 为径向线缝隙天线。

8.如权利要求4所述的等离子加工设备,其特征在于,所述平面天线 围绕同轴管的内部导体设置。

9.如权利要求1所述的等离子加工设备,其特征在于,导波管/同轴 管转换器将导波管中的传输模式转换成同轴管中的TEM模式。

10.如权利要求9所述的等离子加工设备,其特征在于,所述导波管 为方形形状,其中内部导体的一端伸入方形形状导波管,所伸入的端部 在导波管/同轴管转换器中沿伸入方向变厚。

11.如权利要求10所述的等离子加工设备,其特征在于,所述中空部 分穿透同轴管的内部导体,以便允许加工气体从在内部导电部分的伸入 端部中所加工的进口开口中进入中空部分,并且从朝向加工腔体内部的 孔喷射。

12.如权利要求1所述的等离子加工设备,其特征在于,同轴管的内 部导体包括冷却剂导管,冷却剂可以从该冷却剂导管中流过。

13.如权利要求1所述的等离子加工设备,进一步包括将加工气体导 入腔体的第二加工气体供应部分。

14.如权利要求13所述的等离子加工设备,其特征在于,所述第二加 工气体供应部分包括侧壁喷射孔,加工气体从该侧壁喷射孔喷向加工腔 体的中心部分。

15.如权利要求13所述的等离子加工设备,进一步包括:

第一流率控制部分,其控制通过第一加工气体供应部分被导入加工 腔体的加工气体的流率;和

第二流率控制部分,其控制通过第二加工气体供应部分被导入加工 腔体的加工气体的流率。

16.如权利要求2所述的等离子加工设备,进一步包括给基座提供射 频波以便在基座中产生自偏压的射频波发生器。

17.如权利要求1所述的等离子加工设备,进一步包括围绕加工腔体 的磁场产生部分,以便在加工腔体周围产生磁场,从而在加工腔体中的 等离子体中产生电子回旋共振。

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