[发明专利]等离子加工设备有效
申请号: | 200880010562.7 | 申请日: | 2008-03-28 |
公开(公告)号: | CN101647101A | 公开(公告)日: | 2010-02-10 |
发明(设计)人: | 岩崎征英 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/205;H05H1/46 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 田军锋;魏金霞 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子 加工 设备 | ||
1.一种利用等离子加工基体的等离子加工设备,所述等离子加工设 备包括:
加工腔体,其容纳要进行预定的等离子加工的基体,且可以被排放 至减小的压力;
微波发生器,其产生用于形成等离子体的微波;
导波管,其将微波从微波发生器传输到加工腔体;
导波管/同轴管转换器,其连接到导波管的一端;
同轴管,其形成微波从导波管-同轴管转换器传输到加工腔体所要 通过的线路,其中,同轴管的内部导体具有中空部分;和
第一加工气体供应部分,其通过同轴管的内部导体的中空部分将加 工气体提供给加工腔体;
介电窗口,其中心部分形成有凹入部分,喷射部分从上方经由密封 元件装入形成在所述凹入部分中,通过所述喷射部分向加工腔体中喷射 加工气体。
2.如权利要求1所述的等离子加工设备,进一步包括:
基座,在加工腔体中其上放置基体;
其中
所述介电窗口用于将微波导入加工腔体,
其中介电窗口充当与基座相对的顶面。
3.如权利要求2所述的等离子加工设备,其特征在于,所述介电窗口 设置有与内部导体的中空部分相通的气体喷射开口。
4.如权利要求2所述的等离子加工设备,其特征在于,所述介电窗 口是平面天线的一个组成元件。
5.如权利要求4所述的等离子加工设备,其特征在于,所述平面天线 电磁耦合到同轴管的一端。
6.如权利要求4所述的等离子加工设备,其特征在于,所述平面天线 为缝隙天线。
7.如权利要求6所述的等离子加工设备,其特征在于,所述缝隙天线 为径向线缝隙天线。
8.如权利要求4所述的等离子加工设备,其特征在于,所述平面天线 围绕同轴管的内部导体设置。
9.如权利要求1所述的等离子加工设备,其特征在于,导波管/同轴 管转换器将导波管中的传输模式转换成同轴管中的TEM模式。
10.如权利要求9所述的等离子加工设备,其特征在于,所述导波管 为方形形状,其中内部导体的一端伸入方形形状导波管,所伸入的端部 在导波管/同轴管转换器中沿伸入方向变厚。
11.如权利要求10所述的等离子加工设备,其特征在于,所述中空部 分穿透同轴管的内部导体,以便允许加工气体从在内部导电部分的伸入 端部中所加工的进口开口中进入中空部分,并且从朝向加工腔体内部的 孔喷射。
12.如权利要求1所述的等离子加工设备,其特征在于,同轴管的内 部导体包括冷却剂导管,冷却剂可以从该冷却剂导管中流过。
13.如权利要求1所述的等离子加工设备,进一步包括将加工气体导 入腔体的第二加工气体供应部分。
14.如权利要求13所述的等离子加工设备,其特征在于,所述第二加 工气体供应部分包括侧壁喷射孔,加工气体从该侧壁喷射孔喷向加工腔 体的中心部分。
15.如权利要求13所述的等离子加工设备,进一步包括:
第一流率控制部分,其控制通过第一加工气体供应部分被导入加工 腔体的加工气体的流率;和
第二流率控制部分,其控制通过第二加工气体供应部分被导入加工 腔体的加工气体的流率。
16.如权利要求2所述的等离子加工设备,进一步包括给基座提供射 频波以便在基座中产生自偏压的射频波发生器。
17.如权利要求1所述的等离子加工设备,进一步包括围绕加工腔体 的磁场产生部分,以便在加工腔体周围产生磁场,从而在加工腔体中的 等离子体中产生电子回旋共振。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造