[发明专利]半导体材料处理设备的镀铝部件和制造该部件的方法

权利要求书

1.一种半导体材料处理设备的抗蚀剂剥除室的镀铝部件，该部件 包括：

基片，至少包括第一表面；

在该基片的第一表面上或在中间层的第二表面上的高纯 度、电沉积铝镀层，其中所述中间层形成在所述基片的第一表 面上；

其中其上设有该镀铝层的该第一表面或该第二表面是导 电表面，

该铝镀层包括该部件的工艺暴露外表面，以及其中该铝 镀层包括，以wt.％计，≥99.00％Al、≤0.10％Cu、≤0.10％Mg、 ≤0.015％Mn、≤0.02％Cr、≤0.07％Fe、≤0.025％Zn、≤0.06％Si、 ≤0.015％Ti和≤0.015％总的其他元素。

2.根据权利要求1所述的镀铝部件，其中该铝镀层包括 ≥99.99wt.％Al和≤0.01wt.％总的其他元素，以及具有5μm至 200μm的厚度。

3.根据权利要求1所述的镀铝部件，其中：

该基片包括铝或铝合金，、导电陶瓷材料或导电聚合材 料；和

该铝镀层是在该基片的第一表面上。

4.根据权利要求1所述的镀铝部件，其中：

该基片包括电绝缘体；

该中间层是在该基片的第一表面上的金属层；

该铝镀层是在该中间层的第二表面上。

5.根据权利要求1所述的镀铝部件，其中：

该基片包括基底部分和与该基底部分集成的金属材料组 成的外部，该外部包括该第一表面，该基底部分包括至少一种 陶瓷材料和至少一种金属氧化物组成的混合物；和

该铝镀层是在该外部的第一表面上。

6.根据权利要求1所述的镀铝部件，其中该基片包括从由氧化 钇、氧化铝、石英、氧化锆、碳化硅、氧化钛、氮化硅、氮化 硼、碳化硼、氮化铝及其混合物组成的组中选取的陶瓷材料。

7.一种半导体材料处理设备，包括：

抗蚀剂剥除室；

与该抗蚀剂剥除室流体连通并且可运行以将反应性物质 提供进该抗蚀剂剥除室的远程等离子源；和

该抗蚀剂剥除室中至少一个根据权利要求1所述的镀铝 部件；

其中该镀铝部件的第一和第二表面包括非铝材料。

8.一种从设在根据权利要求7所述的设备的该抗蚀剂剥除室中 的半导体基片去除抗蚀剂的方法，包括：

从该远程等离子源提供反应性物质进入含有半导体基片 的该抗蚀剂剥除室，该基片上具有抗蚀剂；和

利用该反应性物质选择性地从该半导体基片去除该抗蚀 剂。

9.一种半导体材料处理设备的镀铝部件，包括：

基片，至少包括第一表面；

在该基片的第一表面上或在中间层的第二表面上的高纯 度铝镀层，其中其上设有该镀铝层的该第一表面或该第二表面 是导电的，其中所述中间层形成在所述基片的第一表面上；

其中该铝镀层包括，以wt.％计，≥99.00％Al、≤0.10％Cu、 ≤0.10％Mg、≤0.015％Mn、≤0.02％Cr、≤0.07％Fe、≤0.025％Zn、 ≤0.06％Si、≤0.015％Ti和≤0.015％总的其他元素；以及

形成在该铝镀层上的阳极氧化层，该阳极氧化层包括该 部件的工艺暴露外表面。

10.根据权利要求9所述的镀铝部件，其中该铝镀层是电沉积铝 层，包括≥99.99wt.％Al和≤0.01wt.％总的其他元素，并具有5μm 至200μm厚度。

11.根据权利要求9所述的镀铝部件，其中：

该基片包括铝或铝合金、导电陶瓷材料或导电聚合材 料；以及

该铝镀层是在该基片的第一表面上。

12.根据权利要求9所述的镀铝部件，其中：

该基片包括电绝缘体；

该中间层是在该基片的第一表面上的金属层；和

该铝镀层是在该中间层的第二表面上。