[发明专利]半导体芯片的制造方法和半导体用粘接膜及其复合片

说明书

技术领域

本发明涉及半导体芯片的制造方法和半导体用粘接膜以及使用该粘 接膜的复合片。

背景技术

将半导体芯片安装在支撑部件时，一直以来主要采用银浆作为粘接半 导体芯片和支撑部件的管芯焊接(die bonding)材料。但是，伴随着半导 体芯片的小型化、高性能化以及所使用支撑部件的小型化、细密化，在采 用银浆的方法中，存在由于浆剂的挤出或半导体芯片的倾斜而引起在引线 结合(wire bonding)时发生不良之类的问题。因此，近年来，使用粘接膜 (半导体用粘接膜)来代替银浆。

作为使用粘接膜来获得半导体装置的方式，有单片粘贴方式和晶片背 面粘贴方式。

在单片粘贴方式中，通过切削或冲切从卷状的粘接膜截取单片，并将 该粘接膜的单片粘接于支撑部件。借助粘接于支撑部件的粘接膜，将通过 其他切割工序单片化后的半导体芯片接合于支撑部件。然后，根据需要经 过引线接合工序、密封工序等来获得半导体装置。但是，在单片粘贴方式 的情况下，需要用于将粘接膜截取为单片并与支撑部件粘接的专用组装装 置，所以与使用银浆的方法相比存在制造成本变高之类的问题。

在晶片背面粘贴方式中，首先，在半导体晶片的背面顺次贴合粘接膜 和切割胶带。然后，将半导体晶片切割从而分割成多个半导体芯片，并按 照各个半导体芯片来切断粘接膜。之后，同时拾取半导体芯片和层叠于其 背面的粘接膜，在粘接膜的作用下将半导体芯片接合于支撑部件。然后， 进一步经过加热、固化、引线接合等工序来获得半导体装置。在晶片背面 粘贴方式的情况下，不需要用于使粘接膜单片化的组装装置，可直接使用 现有的银浆用组装装置、或通过附加热盘等改良了现有的银浆用装置的一 部分来进行使用。因此，在使用粘接膜的方法中，作为能够将制造成本抑 制得较低的方法而备受关注。

另一方面，近年，作为切割半导体晶片的方法提出了如下的隐形切割 (stealth dicing)方法：通过对半导体晶片照射激光从而在半导体晶片内 部选择性地形成改质部，并沿着改质部将半导体晶片切断(专利文献1、2)。 在该方法中，例如，通过拉伸切割胶带对半导体晶片施加应力，从而沿着 改质部将半导体晶片分割为多个半导体芯片。 专利文献1：日本特开2002-192370号公报 专利文献2：日本特开2003-338467号公报

在上述晶片背面粘贴方式的情况下，需要在切割半导体晶片时也同时 切断粘接膜。存在如下的问题：当通过采用了金刚石刀片的一般切割方法 来同时切断半导体晶片和粘接膜时，在切断后的半导体芯片侧面产生裂纹 (芯片裂纹)、或者在断开面上由于粘接膜破裂而产生多个毛刺(burr)。如 果存在芯片裂纹或毛刺，则在拾取半导体芯片时半导体芯变得易于断裂， 从而导致合格率降低。

期待通过上述隐形切割在某种程度上抑制伴随着切割而产生的芯片 裂纹或毛刺。但是，在采用通过激光加工在半导体晶片形成改质部后拉伸 切割胶带来切割半导体晶片的方法的情况下，仅拉伸切割胶带难以将半导 体用粘接膜完全分割，由此可知得到高合格率的半导体芯片实际上是困难 的。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供既能够充分抑制芯片裂纹及毛刺的发 生、又能够由半导体晶片获得高合格率的半导体芯片的方法。另外，本发 明的其他目的在于提供适用于上述方法的半导体用粘接膜和复合片。

根据一个方面，本发明涉及半导体芯片的制造方法。本发明的制造方 法具有以下工序：准备下述层叠体的工序，该层叠体顺次层叠半导体晶片、 半导体用粘接膜以及切割胶带，上述半导体用粘接膜具有小于5％的拉伸断 裂伸度，该拉伸断裂伸度小于最大负荷时的伸度的110％，从上述半导体晶 片侧形成切槽，以使上述半导体晶片被分割为多个半导体芯片、并且上述 半导体用粘接膜在厚度方向上的至少一部分不被切断而保留；以及将上述 切割胶带在上述多个半导体芯片相互分离的方向上进行拉伸，由此沿着上 述切槽来分割上述半导体用粘接膜的工序。

在上述本发明的制造方法中，准备了半导体用粘接膜不完全被切断而 保持连接状态的层叠体。在这基础上，通过切割胶带的拉伸来分割半导体 用粘接膜。在上述方法中采用了具有上述特定拉伸断裂伸度的半导体用粘 接膜，由此既能够充分抑制芯片裂纹及毛刺的发生、又能够由半导体晶片 获得高合格率的半导体芯片。