[发明专利]电子器件以及操作电子器件的方法

权利要求书

1.一种电子器件(100)，所述电子器件(100)包括

导热结构(103)；

可转换结构(104)，通过加热，所述可转换结构(104)在至少两种状态之间转换，其中，所述可转换结构(104)在所述至少两种状态中的不同状态具有不同的电气性能；

其中，所述导热结构(103)被布置得与入射在所述导热结构(103)上的辐射(106)相互作用；

其中，所述可转换结构(104)耦合到所述导热结构(103)，使得当所述辐射(106)入射在所述导热结构(103)上时，所述可转换结构(104)在所述至少两种状态的不同状态之间转换，

其中，所述导热结构(103)被配置成以如下方式由入射电磁辐射(106)加热，其中由感应加热所述导热结构(103)和通过交替地对所述导热结构(103)进行磁化和消磁来加热所述导热结构(103)的所构成的组的方式加热。

2.根据权利要求1所述的电子器件(100)，其中，所述可转换结构(104)是随热变化的结构。

3.根据权利要求2所述的电子器件(100)，其中，所述随热变化的结构是在至少两种相态之间转换的相变结构。

4.根据权利要求1所述的电子器件(100)，其中，所述可转换结构(104)在所述至少两种状态的至少一种状态是导电的。

5.根据权利要求1所述的电子器件(100)，其中，所述不同的电气性能是组成所述可转换结构(104)的或包含所述可转换结构(104)的构件的不同的电导率值、不同电容率值、不同磁导率值、不同电容值和不同电感值的组中的至少一个。

6.根据权利要求1所述的电子器件(100)，其包括电子检测电路(101、102、120)，所述电子检测电路适于检测所述可转换结构(104)在所述至少两种状态的不同状态下的不同电气性能。

7.根据权利要求1所述的电子器件(100)，其中，所述导热结构(103)被布置为由入射在所述导热结构(103)上的电磁辐射(106)加热。

8.根据权利要求4所述的电子器件(100)，其中，以所述电导率的值在所述至少两种状态下不同的方式调整所述可转换结构(104)。

9.根据权利要求1所述的电子器件(100)，其中，所述可转换结构(104)适于使所述至少两种状态中的一种涉及所述可转换结构(104)的晶相，而所述至少两种状态中的另一种涉及所述可转换结构(104)的非晶相。

10.根据权利要求1所述的电子器件(100)，其包括辐射源(107)，所述辐射源(107)适于产生所述辐射(106)。

11.根据权利要求10所述的电子器件(100)，其中所述辐射源(107)是适于产生入射在所述导热结构(103)上的电磁辐射的电磁辐射源。

12.根据权利要求1所述的电子器件(100)，其中，所述辐射源(107)适于根据至少一种预定的辐射脉冲模式(1103，1104)产生所述辐射(106)。

13.根据权利要求12所述的电子器件(100)，其中，所述至少一种预定的辐射脉冲模式(1103，1104)包括第一辐射脉冲模式(1104)和第二辐射脉冲模式(1103)，第一辐射脉冲模式(1104)适于将所述可转换结构(104)从所述至少两种状态的第一种状态转换到所述至少两种状态的第二种状态，第二辐射脉冲模式(1103)适于将所述可转换结构(104)从所述至少两种状态的第二种状态转换到所述至少两种状态的第一种状态。

14.根据权利要求13所述的电子器件(100)，

其中，第一辐射脉冲模式(1104)适用于将所述可转换结构(104)加热到第一温度值；

其中，第二辐射脉冲模式(1103)适用于将所述可转换结构(104)加热到第二温度值；

其中，第一温度值低于第二温度值。

15.根据权利要求1所述的电子器件(100)，其中，所述导热结构(103)是电极。

16.根据权利要求1所述的电子器件(100)，其包括电耦合到所述可转换结构(104)的开关(120)。