[发明专利]破碎岩体无止浆墙复合式注浆施工方法无效

专利信息
申请号: 200880011037.7 申请日: 2009-10-09
公开(公告)号: CN101666234A 公开(公告)日: 2010-03-03
发明(设计)人: 谢文清;杨龙伟;辜文凯;郭伟 申请(专利权)人: 中铁二局股份有限公司;中铁二局第二工程有限公司
主分类号: E21D11/04 分类号: E21D11/04;E21D11/10
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 代理人: 林辉轮;熊晓果
地址: 610041四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 破碎 岩体无止浆墙 复合 式注浆 施工 方法
【权利要求书】:

1.一种可重置的微流体截止阀,包括:

具有内表面的微流体通道;

置于所述表面上的疏水片,所述疏水片覆盖在第一导电区域上,所述第一导电区域与所述通道无电接触;

与所述通道电接触的第二导电区域,其中,在所述第一和第二导电区域之间存在第一电势的条件下,由于所述流体和所述疏水片之间阻碍性的大接触角,水流体不会流过所述疏水片,并且,其中,在所述第一和第二导电区域之间存在第二电势的条件下,减小了所述接触角,因而允许所述水流体流过所述疏水片;以及,

与所述通道电接触的第三导电区域,流过所述第三导电层和所述流体的电流在所述通道中产生气泡。

2.如权利要求1所述的阀,其中,所述微通道的横截面尺寸小于1mm。

3.如权利要求1所述的阀,其中,所述第二导电区域位于所述疏水片的上游。

4.如权利要求1所述的阀,进一步包括位于所述通道表面上的第二疏水片,所述第二疏水片覆盖在所述第一导电区域上或覆盖在第四导电区域上。

5.如权利要求1所述的阀,其中,所述电流流过电路,所述电路包括所述第二导电区域、所述流体以及所述第三导电区域,以产生气泡。

6.如权利要求1所述的阀,其中,所述第三导电区域位于所述通道中所述疏水片的上游。

7.如权利要求1所述的阀,其中,所述第二和第三导电区域均位于所述疏水片的上游,并且其中,当电流流过它们中间时它们都产生气体。

8.如权利要求1所述的阀,其中,在所述通道中存在所述气泡的情况下在所述第一和第二导电区域之间建立所述第一电势。

9.一种微流体阀,包括:

具有导电区域的微流体通道;和

所述微流体通道中与所述导电区域接触的流体;

其中,在所述导电区域上施加电压,以在所述通道中电解地产生气泡,因而截止所述微流体通道中的所述流体的流动。

10.如权利要求9所述的阀,进一步包括了所述微流体通道中所述导电区域下游的疏水片。

11.一种微流体阀,包括:

具有内表面的微流体通道;

沿所述微流体通道设置的两个或两个以上疏水片;

位于所述疏水片之下的第一导电区域,所述疏水片位于所述第一导电区域和所述通道内部之间;以及,

沿所述微流体通道在所述两个或两个以上疏水片之间设置的第二导电区域;

其中,在所述第一和第二导电区域之间存在第一电势的情况下,所述通道中的水流体不会流过所述疏水片,并且其中,在所述第一和第二导电区域之间存在第二电势的情况下,所述流体会流过所述疏水片,所述第二电势高于所述第一电势。

12.如权利要求11所述的阀,其中,所述第二导电区域与所述通道内部电接触。

13.如权利要求11所述的阀,其中,所述第一导电区域和所述第二导电区域均不与所述通道内部电接触。

14.一种控制通道中流体流动的方法,包括:

提供通道,所述通道包括内表面和设置在所述表面上的疏水片;

提供暴露在所述内表面上的第一导电区域;

使流体沿所述通道从所述第一导电区域流向所述疏水片;以及,

对所述第一导电区域施加第一电压,从而电解地产生气泡;

因此,所述气泡被所述流体流动推至所述疏水片上,形成接触面,所述接触面具有足够的表面张力以截止所述流体流动。

15.如权利要求14所述的方法,进一步包括提供相邻于所述疏水片的第二导电区域,所述疏水片位于所述导电区域和通道内部之间;并且,

对所述第二导电区域施加第二电压;

其中,所述施加的第二电压产生电场,所述电场减小了在所述疏水片气泡处的流体的接触角,从而降低对所述液流的阻力,并允许所述流体流过所述疏水片。

16.如权利要求15所述的方法,进一步包括调节所述第二电压,从而调节所述流体的流速。

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