[发明专利]捕集装置、排气系统以及采用该排气系统的处理系统有效
申请号: | 200880011133.1 | 申请日: | 2008-03-26 |
公开(公告)号: | CN101652834A | 公开(公告)日: | 2010-02-17 |
发明(设计)人: | 山崎良二 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;C23C16/44;B01D53/34 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集装 排气 系统 以及 采用 处理 | ||
技术领域
本发明涉及用于捕获(trap:捕集)排放气体中的排气物的捕集装 置,上述排放气体是从为了制造半导体装置而对半导体晶片等实施成 膜等处理的处理装置中被排出的气体。具体而言,本发明涉及根据需 要除去由捕集元件捕获而附着的排气物并能够进行捕集元件的再生的 捕集装置。本发明还涉及具备这样的捕集装置的排气系统和处理系统。
背景技术
通常,捕集装置设置在从对半导体晶片等进行成膜处理等规定处 理的处理装置排出内部气氛的排气通路上。捕集装置配置在真空泵的 前段侧。捕集装置通过捕集装置内的捕集元件捕获从处理装置的处理 室排出的排放气体中未反应的处理气体或反应副产物等的排气物。捕 集装置具备从捕集元件除去由捕集元件捕获而附着的排气物,再生捕 集元件的功能。
在仅具有一台捕集装置的处理系统中,当通过捕集元件捕获到一 定程度的量的排气物时,处理系统的运行被停止,通过使用洗涤水清 洗捕集元件而除去所附着的排气物。
日本专利公开公报特开2001-323875号公报和特开2004-111834号 公报中公开有一种捕集装置,其具有能够在一个捕集区域和在其两侧 设置的两个再生区域之间联动移动的两个捕集元件。在这种捕集装置 中,第一捕集元件位于捕集领域捕获排放气体中的反应生成物的排气 物,如果第一捕集元件捕获到一定程度量的排气物,则第一捕集元件 就移动至再生领域进行再生处理。在第一捕集元件在捕集领域进行排 气物的捕获的期间,第二捕集元件位于再生领域利用洗涤水清洗除去 附着在第二捕集元件的排气物。当第二捕集元件移动至捕集领域时, 第一捕集元件移动至再生领域。
通过像这样交替地使用两个捕集元件,能够不停止处理装置而对 多个晶片进行连续地处理,从而能够提高处理装置的工作效率。
如上所述若只是通过浇淋洗涤液清洗捕集元件,则附着在捕集元 件上的排气物不能充分地被除去,从而发生再生不充分的情况。
另外,如上所述对于具有两个能够切换的捕集元件的捕集装置, 由于捕集元件在筐体内壁上滑动,即使在滑动部分设置有密封部件, 在滑动时也会发生从滑动部分泄漏排放气体或洗涤水的问题。
发明内容
本发明是针对上述问题,为有效地解决这些问题而提出的发明。
本发明的目的在于提供通过可靠地除去附着在捕集元件上的排气 物能够可靠地进行再生的捕集装置。
本发明的另一目的在于提供即使具有多个捕集元件,也能够可靠 地防止在捕集元件切换时等排放气体等向外部泄漏的捕集装置。
本发明的另一目的在于提供采用上述捕集装置的排气系统和处理 系统。
本发明人等对于从捕集元件除去附着排气物进行专心研究的结果 发现:针对捕集排气物的捕集元件和所附着的排气物的线膨胀率的不 同,通过将两者急剧冷却,利用由于两者的线膨胀率的不同和热收缩 速度的差使所附着的排气物(副产物)被物理性的破坏(粉碎),从而 能够被除去,由此实现本发明。
因此,根据本发明的第一观点,提供一种捕集装置,其设置在排 出来自对被处理体进行处理的处理室的排放气体的排气通路上,用于 从上述排放气体捕获排气物,该捕集装置的特征在于,包括:设置在 上述排气通路的筐体;设置在上述筐体内捕获上述排气物的捕集元件; 加热上述捕集元件的捕集加热装置;向上述筐体内导入冷却介质的冷 却介质导入装置;用于从上述筐体排出上述冷却介质的冷却介质排出 部;和按照以下方式控制上述捕集加热装置和上述冷却介质导入装置 的控制部,即:用于从上述捕集元件除去由上述捕集元件捕获的上述 排出物,而在通过上述捕集加热装置加热上述捕集元件的状态下,通 过上述冷却介质导入装置向上述筐体内导入上述冷却介质。
像这样,在除去捕集元件上附着的排气物时,通过冷却介质导入 装置导入的冷却介质使捕集元件和所附着的排气物两者急剧冷却,通 过两者的线膨胀率的不同和热收缩速度的差,使附着排气物被物理性 的破坏从而能够可靠地除去,因此能够可靠地进行捕集装置的再生。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造