[发明专利]曝光装置、曝光方法和电子器件制造方法

权利要求书

1.一种曝光装置，通过投影光学系统在基板上曝光明暗图案，所述曝光装置包括：

位置检测系统，检测基板的单位曝光区域中的多个预定位置，其中多个参考检测位置落入与所述单位曝光区域大致相等的范围内；

变形计算单元，根据所述位置检测系统的检测结果来计算所述单位曝光区域中的变形状态；以及

形状修改单元，根据所述变形计算单元计算出的变形状态，修改要在基板上曝光的明暗图案的形状。

2.根据权利要求1所述的曝光装置，其中，所述位置检测系统包括至少四个位置检测单元，每一个位置检测单元具有落入与所述单位曝光区域大致相等的范围内的参考检测位置。

3.根据权利要求1或2所述的曝光装置，其中，所述位置检测系统包括彼此相邻地平行设置的多个检测光学系统，其中每一个检测光学系统具有落入与所述单位曝光区域大致相等的范围内的参考检测位置。

4.根据权利要求3所述的曝光装置，其中，所述位置检测系统包括检测通过所述多个检测光学系统的光的多个光检测单元。

5.根据权利要求1至3中任意一项所述的曝光装置，其中，所述位置检测系统包括至少一个检测光学系统以及设置在所述至少一个检测光学系统的检测范围内的多个光检测单元。

6.根据权利要求1或2所述的曝光装置，其中，所述位置检测系统包括公共检测光学系统和彼此相邻地平行设置的多个光检测单元，所述多个光检测单元用于检测通过所述公共检测光学系统的光。

7.根据权利要求6所述的曝光装置，其中，所述位置检测系统包括将所述基板相对于所述公共检测光学系统移动的相对移动器件。

8.根据权利要求7所述的曝光装置，其中，所述相对移动器件包括支撑所述基板的基板台。

9.根据权利要求1至8中任意一项所述的曝光装置，其中，所述位置检测系统检测每一个预定位置而无需使用所述投影光学系统。

10.根据权利要求1至9中任意一项所述的曝光装置，其中，所述形状修改单元包括对所述投影光学系统中至少一个光学表面的形状进行修改的光学表面形状修改单元。

11.根据权利要求10所述的曝光装置，其中，所述至少一个光学表面设置在以下位置：与所述投影光学系统的物平面靠近的位置，与所述物平面光学共轭或与共轭位置靠近的位置，或靠近所述投影光学系统的像平面的位置。

12.根据权利要求1至11中任意一项所述的曝光装置，其中，所述曝光装置被配置为形成在设置于所述投影光学系统的物平面上的掩模上所形成图案的图像，作为所述基板上的所述明暗图案。

13.根据权利要求1至12中任意一项所述的曝光装置，其中，所述投影光学系统具有缩小倍率。

14.根据权利要求1至13中任意一项所述的曝光装置，其中，所述形状修改单元包括掩模表面形状修改单元，所述掩模表面形状修改单元修改在所述投影光学系统的物平面上设置的掩模的图案表面的形状。

15.根据权利要求1至14中任意一项所述的曝光装置，其中，所述变形计算单元计算出的变形状态包括所述基板或所述单位曝光区域中的高级变形状态。

16.根据权利要求1至15中任意一项所述的曝光装置，其中：

所述曝光装置被配置为在沿预定方向将基板相对于投影光学系统移动的同时使明暗图案被扫描并曝光到基板上；以及

所述形状修改单元被配置为根据扫描曝光期间基板的相对移动来修改明暗图案的形状。

17.一种曝光方法，用于通过投影光学系统把明暗图案曝光到基板上的单位曝光区域上，所述曝光方法包括：

位置检测步骤，利用位置检测系统检测基板的单位曝光区域中的多个预定位置，所述位置检测系统检测落入与一个单位曝光区域大致相等的范围内的多个预定位置；

变形计算步骤，根据与位置检测步骤中获得的所述多个预定位置有关的信息，计算单位曝光区域中的变形状态；以及

形状修改步骤，根据变形计算步骤中获得的变形状态，修改要在基板上曝光的明暗图案的形状。

18.根据权利要求17所述的曝光方法，其中，所述位置检测步骤包括检测至少四个预定位置。