[发明专利]干蚀刻方法有效
申请号: | 200880011651.3 | 申请日: | 2008-04-10 |
公开(公告)号: | CN101652841A | 公开(公告)日: | 2010-02-17 |
发明(设计)人: | 森川泰宏;邹红罡 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 北京华夏正合知识产权代理事务所 | 代理人: | 韩登营 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 蚀刻 方法 | ||
1.一种干蚀刻方法,其特征在于,
准备基板,该基板中,在由硅氧化物构成的绝缘层上形成有半导 体层,
在所述半导体层上形成通孔,
对所述绝缘层中、经由所述通孔露出的区域用至少含有碳氟化合 物类气体的气体、在0.1Pa以上0.7Pa以下的蚀刻气压的条件下进行 蚀刻,在所述绝缘层上形成凹处,与此同时,在所述通孔和所述凹处 的侧壁上形成树脂膜。
2.根据权利要求1所述的干蚀刻方法,其特征在于,
所述碳氟化合物类气体为C4F8。
3.根据权利要求1所述的干蚀刻方法,其特征在于,
通过磁中性环路放电蚀刻法形成所述凹处。
4.一种干蚀刻方法,其特征在于,
准备基板,该基板中,在由硅氧化物构成的绝缘层上形成有半导 体层,
在所述半导体层上形成通孔,
对所述绝缘层中、经由所述通孔露出的区域用含有碳氟化合物类 气体20%以上的气体、在0.1Pa以上0.7Pa以下的蚀刻气压的条件下 进行蚀刻,在所述绝缘层上形成凹处,与此同时,在所述通孔和所述 凹处的侧壁上形成树脂膜。
5.一种干蚀刻方法,其特征在于,
准备基板,该基板中,在由硅氧化物构成的绝缘层上形成有半导 体层,
在所述半导体层上形成通孔,
对所述绝缘层中、经由所述通孔露出的区域用至少含有碳氟化合 物类气体的气体、在所述基板的温度为150℃以下这样的条件下进行 蚀刻,在所述绝缘层上形成凹处,与此同时,在所述通孔和所述凹处 的侧壁上形成树脂膜。
6.一种干蚀刻方法,其特征在于,
准备基板,该基板中,在由硅氧化物构成的绝缘层上形成有半导 体层,
在所述半导体层上形成通孔,
对所述绝缘层中、经由所述通孔露出的区域用至少含有碳氟化合 物类气体的气体进行蚀刻,在所述绝缘层上形成凹处,与此同时,在 所述通孔和所述凹处的侧壁上形成树脂膜,且所形成的该树脂膜的厚 度为0.1μm以上。
7.一种干蚀刻方法,其特征在于,
准备基板,该基板中,在由硅氧化物构成的绝缘层上形成有半导 体层,
在所述半导体层上形成通孔,
对所述绝缘层中、经由所述通孔露出的区域用至少含有碳氟化合 物类气体的气体进行蚀刻,在所述绝缘层上形成凹处,与此同时,在 所述通孔和所述凹处的侧壁上形成树脂膜,
在形成所述凹处之后,去除所述树脂膜。
8.根据权利要求7所述的干蚀刻方法,其特征在于,
通过用氧等离子体进行灰化处理去除所述树脂膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社爱发科,未经株式会社爱发科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880011651.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:两级压缩双螺杆空压机的油路控制系统
- 下一篇:双驱压缩机
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造