[发明专利]干蚀刻方法有效

专利信息
申请号: 200880011651.3 申请日: 2008-04-10
公开(公告)号: CN101652841A 公开(公告)日: 2010-02-17
发明(设计)人: 森川泰宏;邹红罡 申请(专利权)人: 株式会社爱发科
主分类号: H01L21/3065 分类号: H01L21/3065
代理公司: 北京华夏正合知识产权代理事务所 代理人: 韩登营
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 蚀刻 方法
【权利要求书】:

1.一种干蚀刻方法,其特征在于,

准备基板,该基板中,在由硅氧化物构成的绝缘层上形成有半导 体层,

在所述半导体层上形成通孔,

对所述绝缘层中、经由所述通孔露出的区域用至少含有碳氟化合 物类气体的气体、在0.1Pa以上0.7Pa以下的蚀刻气压的条件下进行 蚀刻,在所述绝缘层上形成凹处,与此同时,在所述通孔和所述凹处 的侧壁上形成树脂膜。

2.根据权利要求1所述的干蚀刻方法,其特征在于,

所述碳氟化合物类气体为C4F8

3.根据权利要求1所述的干蚀刻方法,其特征在于,

通过磁中性环路放电蚀刻法形成所述凹处。

4.一种干蚀刻方法,其特征在于,

准备基板,该基板中,在由硅氧化物构成的绝缘层上形成有半导 体层,

在所述半导体层上形成通孔,

对所述绝缘层中、经由所述通孔露出的区域用含有碳氟化合物类 气体20%以上的气体、在0.1Pa以上0.7Pa以下的蚀刻气压的条件下 进行蚀刻,在所述绝缘层上形成凹处,与此同时,在所述通孔和所述 凹处的侧壁上形成树脂膜。

5.一种干蚀刻方法,其特征在于,

准备基板,该基板中,在由硅氧化物构成的绝缘层上形成有半导 体层,

在所述半导体层上形成通孔,

对所述绝缘层中、经由所述通孔露出的区域用至少含有碳氟化合 物类气体的气体、在所述基板的温度为150℃以下这样的条件下进行 蚀刻,在所述绝缘层上形成凹处,与此同时,在所述通孔和所述凹处 的侧壁上形成树脂膜。

6.一种干蚀刻方法,其特征在于,

准备基板,该基板中,在由硅氧化物构成的绝缘层上形成有半导 体层,

在所述半导体层上形成通孔,

对所述绝缘层中、经由所述通孔露出的区域用至少含有碳氟化合 物类气体的气体进行蚀刻,在所述绝缘层上形成凹处,与此同时,在 所述通孔和所述凹处的侧壁上形成树脂膜,且所形成的该树脂膜的厚 度为0.1μm以上。

7.一种干蚀刻方法,其特征在于,

准备基板,该基板中,在由硅氧化物构成的绝缘层上形成有半导 体层,

在所述半导体层上形成通孔,

对所述绝缘层中、经由所述通孔露出的区域用至少含有碳氟化合 物类气体的气体进行蚀刻,在所述绝缘层上形成凹处,与此同时,在 所述通孔和所述凹处的侧壁上形成树脂膜,

在形成所述凹处之后,去除所述树脂膜。

8.根据权利要求7所述的干蚀刻方法,其特征在于,

通过用氧等离子体进行灰化处理去除所述树脂膜。

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