[发明专利]接收电路及数据传输系统有效
申请号: | 200880011941.8 | 申请日: | 2008-02-26 |
公开(公告)号: | CN101675632A | 公开(公告)日: | 2010-03-17 |
发明(设计)人: | 吉河武文 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H04L25/02 | 分类号: | H04L25/02;H04L25/49;H03K19/0175 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接收 电路 数据传输 系统 | ||
技术领域
本发明涉及一种在发送电路和接收电路之间进行数据传输的数 据传输系统。
背景技术
为抑制数据传输时的电磁干扰(EMI:electromagnetic interference),在液晶面板等中,有时候采用接收、发送对应于数 据的电流的电流型数据传输。
对专利文献1中所记载的电流型数据传输之例进行说明。传输 线路,由连接在它的一端的发送电路的晶体管驱动。在接收电路中, 电流一电压转换元件(二极管连接的晶体管)和作为电流源工作的 晶体管串联,在二者之间的节点上连接有传输线路的另一端。
接收电路中的电流-电压转换元件的偏置电流Ib随着流入发 送电路的驱动电流Id变化。偏置电流Ib由电流-电压转换元件进 行电流-电压转换,并作为内部的电压信号输入到比较器中。另一 条传输线路的结构也一样,从输入到比较器的两个电压之差求得传 输数据。
在该传输方式下,因为由驱动电流Id和电流-电压转换元件的 跨导gm决定的电压变化(Id*gm)表现为传输线路间的电压振幅, 所以,与通常的CMOS(complementary metal oxide semiconductor) 电路进行的数字传输(振幅为3.3V左右)相比,电压振幅非常小, 能够对电磁干扰的降低起良好的作用。 -发明要解决的技术问题-
但存在以下问题:若在进行这样的电流型数据传输的接口中, 为使传输速率高速化而增大驱动电流Id和偏置电流Ib,则被传输 的信号的电压振幅也会上升,电磁干扰就会增加,而难以实现高速 化。
特别是,伴随着传输速率的高速化,对手机有以下要求,希望 在模拟前端LSI和基带LSI之间进行高速的串行数据传输,也希望 降低电磁干扰。也就是说,寻求的是实现手机所需要的传输速率 (300Mbps以上)且功耗低、电磁干扰小的接口。
为满足手机的通讯速率提高、相机的像素数量增加的要求,必 须使传输速率提高。为实现电流型数据传输的高速化,需要实现 -电流-电压转换电路的宽带域化 -时钟和数据的占空比精度的提高 -时钟和数据间的相位关系最佳化 增加消费电流,便能够实现电流-电压转换电路的宽带域化,但消 费电流的增加对手机而言是难以接受的。
发明内容
本发明的目的在于:提供一种接收电路及数据传输系统,能够 抑制出现在借助电流传输信息的传输线路上的电压振幅。
本发明的另一目的在于:在消费电流没有大的增加的情况下, 使数据传输速度提高。
本发明所涉及的接收电路是一种连接在借助电流传输信息的第 一及第二传输线路上的接收电路。它包括:第一及第二电流源;第 一及第二转换部,分别将在其中流动的电流转换为电压;第一晶体 管,源极连接在所述第一电流源及所述第一传输线路上,漏极连接 在所述第一转换部上;以及第二晶体管,源极连接在所述第二电流 源及所述第二传输线路上,漏极连接在所述第二转换部上。所述第 一晶体管的栅极与漏极分别连接在所述第二晶体管的漏极与栅极 上。
据此,因为反馈施加在第一及第二晶体管上,所以能够抑制传 输线路上的电压振幅。 本发明所涉及的其它接收电路是一种连接在借助电流传输信息 的传输线路上的接收电路。它包括:第一及第二电流源;第一及第 二转换部,分别将在其中流动的电流转换为电压;第一晶体管,源 极连接在所述第一电流源,漏极连接在所述第一转换部上;以及第 二晶体管,源极连接在所述第二电流源上,漏极连接在所述第二转 换部上。所述第一晶体管的栅极与漏极分别与所述第二晶体管的漏 极与栅极连接,所述传输线路连接在所述第一及第二晶体管中任一 晶体管的源极上。
据此,因为由一条传输线路进行数据传输,所以不仅能够抑制 传输线路上的电压振幅,还能够使数据传输系统的结构简单化。
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