[发明专利]生长氮化铝晶体的方法、制造氮化铝晶体的方法和氮化铝晶体

权利要求书

1.氮化铝晶体生长方法，所述方法包括：

准备具有起始衬底、第一层和第二层的层状基板的步骤，所述起始衬底具有主面和在所述主面相反侧的背面，所述第一层形成于所述背面上，所述第二层形成于所述第一层上；以及

通过气相淀积在所述起始衬底的所述主面上生长氮化铝晶体的步骤；其中

所述第一层由在所述氮化铝晶体的生长温度下比所述起始衬底难以升华的物质制成；以及

所述第二层由热导率比所述第一层高的物质制成。

2.如权利要求1所述的氮化铝晶体生长方法，其中：

所述氮化铝晶体的生长在将所述层状基板装载在支撑台上的状态下进行；以及

所述第二层由热导率比所述支撑台高的物质制成。

3.如权利要求1或2所述的氮化铝晶体生长方法，其中所述准备步骤包括：

在所述起始衬底的所述背面上布置将粉末和溶剂一起混合而得到的共混物，并在所述共混物上布置所述第二层的子步骤；以及

对所述共混物进行烧结以将其制成所述第一层的子步骤。

4.如权利要求3所述的氮化铝晶体生长方法，其中：

所述起始衬底为氮化铝衬底；以及

所述粉末为单晶氮化铝。

5.如权利要求3所述的氮化铝晶体生长方法，其中：

所述起始衬底为氮化铝衬底；以及

所述粉末为选自多晶氮化铝、氮化铝陶瓷和氮化铝化合物中的一种以上物质的粉末。

6.如权利要求3所述的氮化铝晶体生长方法，其中所述粉末为选自硼化锆、硼化钛、硼化钽、硼化铌、硼化钼和硼化铬中的一种以上物质的粉末。

7.如权利要求3所述的氮化铝晶体生长方法，其中：

所述起始衬底为碳化硅衬底；以及

所述粉末包含碳原子。

8.如权利要求3～7中任一项所述的氮化铝晶体生长方法，其中通过将有机物、树脂和芳香醇混合在一起而制得所述溶剂。

9.如权利要求3～7中任一项所述的氮化铝晶体生长方法，其中通过将丙酮、福尔马林(甲醛)、糠醇和聚酰亚胺树脂混合在一起而制得所述溶剂。

10.如权利要求1～9中任一项所述的氮化铝晶体生长方法，其中所述第二层包含碳原子。

11.如权利要求1～9中任一项所述的氮化铝晶体生长方法，其中所述第二层包含氮化铝。

12.如权利要求1～11中任一项所述的氮化铝晶体生长方法，其中所述第二层的厚度为10μm～10cm。

13.如权利要求1～12中任一项所述的氮化铝晶体生长方法，其中，在从室温～2300℃的温度范围内：

所述起始衬底的热膨胀系数与所述第一层的热膨胀系数之差的绝对值为1.0×10^-5℃^-1以下；并且

所述起始衬底的热膨胀系数与所述第二层的热膨胀系数之差的绝对值为1.0×10^-5℃^-1以下。

14.如权利要求1～13中任一项所述的氮化铝晶体生长方法，其中所述准备步骤包括通过蒸镀法在所述起始衬底的所述背面上形成金属涂层的子步骤。

15.如权利要求14所述的氮化铝晶体生长方法，其中所述金属涂层的厚度为1μm～800μm。

16.如权利要求14或15所述的氮化铝晶体生长方法，其中所述金属涂层由选自钨、钽和钼中的一种以上物质制成。

17.氮化铝晶体制造方法，所述方法包括：

通过权利要求1～16中任一项所述的氮化铝晶体生长方法生长氮化铝晶体的步骤；和

至少除去所述第一层的步骤。

18.氮化铝晶体，其利用权利要求17所述的氮化铝晶体制造方法制得。