[发明专利]半导体集成电路

权利要求书

1.一种搭载多个具有梳状电容的模拟宏的半导体集成电路，其特征在于，

所述梳状电容具有梳状的第1电极和第2电极，所述梳状电容是所述第1电极与所述第2电极以所述第1电极的梳齿部和所述第2电极的梳齿部交替地平行排列的方式相咬合而形成，

需要绝对精度高的电容的所述模拟宏具有所述梳状电容的梳齿部间隔宽的高精度梳状电容，而电容绝对精度低亦无妨的所述模拟宏具有所述梳状电容的梳齿部间隔窄的高密度梳状电容，其中所述绝对精度表示所述梳状电容的实际电容值与理想电容值之间的误差。

2.一种搭载多个具有梳状电容的模拟宏的半导体集成电路，其特征在于，

所述梳状电容具有梳状的第1电极和第2电极，所述梳状电容是所述第1电极与所述第2电极以所述第1电极的梳齿部和所述第2电极的梳齿部交替地平行排列的方式相咬合而形成，

需要绝对精度高的电容的所述模拟宏具有所述梳状电容的梳齿部间隔及梳齿部宽度宽的高精度梳状电容，而电容绝对精度低亦无妨的所述模拟宏具有所述梳状电容的梳齿部间隔及梳齿部宽度窄的高密度梳状电容，其中所述绝对精度表示所述梳状电容的实际电容值与理想电容值之间的误差。

3.权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，

作为所述模拟宏至少搭载有滤波器，

所述多个模拟宏的梳状电容中，所述滤波器的梳状电容被要求最高的绝对精度，按照该绝对精度，所述多个模拟宏的梳状电容中，所述滤波器的梳状电容具有最宽的梳齿部间隔。

4.权利要求2所述的半导体集成电路，其特征在于，

作为所述模拟宏至少搭载有滤波器，

所述多个模拟宏的梳状电容中，所述滤波器的梳状电容被要求最高的绝对精度，按照该绝对精度，所述多个模拟宏的梳状电容中，所述滤波器的梳状电容具有最宽的梳齿部间隔及梳齿部宽度。

5.权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，

作为所述模拟宏至少搭载有流水线型AD转换器，

所述多个模拟宏的梳状电容中，所述流水线型AD转换器的梳状电容被要求最高的绝对精度，按照该绝对精度，所述多个模拟宏的梳状电容中，所述流水线型AD转换器的梳状电容具有最宽的梳齿部间隔。

6.权利要求2所述的半导体集成电路，其特征在于，

作为所述模拟宏至少搭载有流水线型AD转换器，

所述多个模拟宏的梳状电容中，所述流水线型AD转换器的梳状电容被要求最高的绝对精度，按照该绝对精度，所述多个模拟宏的梳状电容中，所述流水线型AD转换器的梳状电容具有最宽的梳齿部间隔及梳齿部宽度。

7.权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，

作为所述模拟宏至少搭载有电荷再分配型AD转换器，

所述多个模拟宏的梳状电容中，所述电荷再分配型AD转换器的梳状电容被要求最高的绝对精度，按照该绝对精度，所述多个模拟宏的梳状电容中，所述电荷再分配型AD转换器的梳状电容具有最宽的梳齿部间隔。

8.权利要求2所述的半导体集成电路，其特征在于，

作为所述模拟宏至少搭载有电荷再分配型AD转换器，

所述多个模拟宏的梳状电容中，所述电荷再分配型AD转换器的梳状电容被要求最高的绝对精度，按照该绝对精度，所述多个模拟宏的梳状电容中，所述电荷再分配型AD转换器的梳状电容具有最宽的梳齿部间隔及梳齿部宽度。

9.权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，

作为所述模拟宏至少搭载有滤波器和PLL，

所述多个模拟宏的梳状电容中，所述滤波器的梳状电容被要求最高的绝对精度，所述PLL的梳状电容被要求第二高的绝对精度，按照所述被要求的绝对精度，所述多个模拟宏的梳状电容中，所述滤波器的梳状电容具有最宽的梳齿部间隔，所述PLL的梳状电容具有第二宽的梳齿部间隔。

10.权利要求2所述的半导体集成电路，其特征在于，

作为所述模拟宏至少搭载有滤波器和PLL，

所述多个模拟宏的梳状电容中，所述滤波器的梳状电容被要求最高的绝对精度，所述PLL的梳状电容被要求第二高的绝对精度，按照所述被要求的绝对精度，所述多个模拟宏的梳状电容中，所述滤波器的梳状电容具有最宽的梳齿部间隔及梳齿部宽度，所述PLL的梳状电容具有第二宽的梳齿部间隔及梳齿部宽度。