[发明专利]半导体发光元件及其制造方法

权利要求书

1、一种半导体发光元件，其特征在于，由GaAs衬底结构和发光二极管结构构成，

所述GaAs衬底结构具备：GaAs层、配置在所述GaAs层表面的第一金属缓冲层、配置在所述第一金属缓冲层上的第一金属层、配置在所述GaAs层背面的第二金属缓冲层、配置在所述第二金属缓冲层的与所述GaAs层相反侧表面的第二金属层，

所述发光二极管结构配置在所述GaAs衬底结构上，并具备：第三金属层、配置在所述第三金属层上的金属接触层、配置在所述金属接触层上的p型包覆层、配置在所述p型包覆层上的多重量子阱层、配置在所述多重量子阱层上的n型包覆层、配置在所述n型包覆层上的窗口层，

使用所述第一金属层及所述第三金属层，将所述GaAs衬底结构和所述发光二极管结构粘贴。

2、如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，通过预先配置于所述发光二极管结构侧的所述第三金属层形成金属反射层。

3、如权利要求1或者2所述的半导体发光元件，其特征在于，来自所述发光二极管结构的放射光在形成于所述p型包覆层与所述第三金属层的界面的镜面被反射。

4、如权利要求1～3中任意一项所述的半导体发光元件，其特征在于，介于所述第三金属层与所述p型包覆层的界面的所述金属接触层形成有所述镜面的一部分。

5、一种半导体发光元件，其特征在于，由GaAs衬底和发光二极管结构构成，

所述发光二极管结构具备：配置在所述GaAs衬底上的金属层、在所述金属层上配置且构图的金属接触层及绝缘层、配置在构图的所述金属接触层及所述绝缘层上的p型包覆层、配置在所述p型包覆层上的多重量子阱层、配置在所述多重量子阱层上的n型包覆层、具备配置在所述n型包覆层上的窗口层，

使用所述金属层，将所述GaAs衬底和所述发光二极管结构粘贴。

6、如权利要求5所述的半导体发光元件，其特征在于，在所述金属层与构图的所述金属接触层及所述绝缘层之间还具备金属缓冲层，所述金属缓冲层配置在所述金属层上。

7、如权利要求5或者6所述的半导体发光元件，其特征在于，通过在所述发光二极管结构侧预先配置的所述金属层，形成金属反射层。

8、如权利要求5～7中任意一项所述的半导体发光元件，其特征在于，来自所述发光二极管结构的放射光，在形成于所述绝缘层与所述金属层的界面的镜面被反射。

9、如权利要求8所述的半导体发光元件，其特征在于，介于所述金属层与所述绝缘层的界面的所述金属缓冲层形成有所述镜面的一部分。

10、一种半导体发光元件，其特征在于，由GaAs衬底结构和发光二极管结构构成，

所述GaAs衬底结构具备GaAs衬底和在所述GaAs衬底表面配置的第一金属层，

所述发光二极管结构配置在所述GaAs衬底结构上，并具备：第二金属层、配置在所述第二金属层上的p型包覆层、配置在所述p型包覆层上的多重量子阱层、配置在所述多重量子阱层上的n型包覆层、配置在所述n型包覆层上的窗口层，

使用所述第一金属层及所述第二金属层，将所述GaAs衬底和所述发光二极管结构粘贴。

11、如权利要求10所述的半导体发光元件，其特征在于，通过在所述发光二极管结构侧预先配置的所述第二金属层形成金属反射层，来自所述发光二极管结构的放射光，在形成于所述p型包覆层与所述第二金属层的界面的镜面被反射。

12、一种半导体发光元件，其特征在于，具备硅衬底结构和LED结构，

所述硅衬底结构由硅衬底、配置在所述硅衬底上的钛层、配置在所述钛层上的第一金属层构成，

所述LED结构由配置在所述第一金属层上的第二金属层、在所述第二金属层上配置且构图的金属接触层及绝缘层、配置在构图的所述金属接触层及所述绝缘层上且在露出的表面具有磨砂处理区域的外延成长层、配置在所述外延成长层上且构图的n型GaAs层、配置在所述n型GaAs层上且构图的表面电极层构成，

使用所述第一金属层及所述第二金属层，将所述硅衬底结构和所述发光二极管结构粘贴。