[发明专利]直流电压隔离器

权利要求书

1.一种直流电压隔离器，具有接地线和信号传输导线，其中在所述信号传输导线上设置有电容，其特征在于，这样来设计所述信号传输导线的尺寸和所述接地线的尺寸，即所述信号传输导线屏蔽传播的交流电压信号的电场，从而在所述信号导线的表面上具有一个区域，在所述区域中，所述交流电压信号的电场强度的振幅低于出现在所述接地线的表面上的所述交流电压信号的电场强度的振幅，并且所述电容设置在所述信号传输导线的被以这种方式屏蔽的所述区域中。

2.一种直流电压隔离器，特别是根据权利要求1所述的直流电压隔离器，具有至少一条接地线和至少一条信号传输导线，所述接地线和所述信号传输导线借助于绝缘体有隔开地设置，其中在所述信号传输导线中设置有电容，其特征在于，所述电容设置在一个区域中，在所述区域中，所述信号导线的面向所述绝缘体的表面大于所述接地线的面向所述绝缘体的表面。

3.根据权利要求1或2所述的直流电压隔离器，其特征在于，所述信号传输导线在所述电容的至少一侧上与电感和/或欧姆电阻器连接。

4.根据权利要求1、2或3中的一项所述的直流电压隔离器，其特征在于，所述电容和/或所述电感和/或所述欧姆电阻器由恰好一个电容器、一个线圈或一个薄膜电阻构成。

5.根据权利要求1、2或3中的一项所述的直流电压隔离器，其特征在于，所述电容和/或所述电感和/或所述欧姆电阻器由网络构成，所述网络包括多个半导体元件和/或多个电阻和/或多个电容器和/或多个电感。

6.根据权利要求4或5中的一项所述的直流电压隔离器，其特征在于，所述半导体元件和/或电阻和/或电容器和/或电感配备有SMD壳体。

7.根据权利要求2至6中的一项所述的直流电压隔离器，其特征在于，所述绝缘体的介电常数为大约1至大约13，特别是大约3至大约10。

8.根据权利要求2至7中的一项所述的直流电压隔离器，其特征在于，在朝向所述电容的方向上，所述信号导线的面向所述绝缘体的表面增大，而所述接地线的面向所述绝缘体的表面减小。

9.根据权利要求1至8中的一项所述的直流电压隔离器，其特征在于，所述接地线和所述信号传输导线设置在平坦的绝缘体的相对侧上。

10.根据权利要求1至8中的一项所述的直流电压隔离器，其特征在于，所述接地线和所述信号传输导线设置在平坦的绝缘体的同侧上。

11.根据权利要求1至8中的一项所述的直流电压隔离器，其特征在于，所述接地线由圆柱状的绝缘体包围，所述圆柱状的绝缘体自身由圆柱状的信号传输导线包围。

12.根据权利要求11所述的直流电压隔离器，其特征在于，所述圆柱状的信号传输导线由金属丝网构成。

13.根据权利要求1至12中的一项所述的直流电压隔离器，其特征在于，所述至少一条接地线和所述至少一条信号传输导线由另一条导线包围。

14.一种具有根据权利要求1至13中的一项所述的直流电压隔离器的放大器。

15.根据权利要求14所述的放大器，其特征在于，所述放大器含有GaN和/或GaAs。

16.一种用于分离信号的直流电压分量和交流电压分量的方法，在所述方法中，电容被安装到信号路径中，其特征在于，将所述电容设置在一个位置上，在所述位置上，传播中的交流电压信号的场分布几乎为零。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，在所述电容的至少一侧上通过电感线圈来导入或导出所述信号的所述直流电压分量。

18.根据权利要求16或17中的一项所述的方法，其特征在于，在所述电容的一侧上导入或导出所述信号的第一直流电压分量，并且在所述电容的相对侧上导出或导入所述信号的第二直流电压分量。

19.根据权利要求1至13中的一项所述的直流电压隔离器在测量技术中的应用。