[发明专利]用于晶片无电镀的方法和设备

权利要求书

1.一种半导体晶片无电镀设备，包括：

压板，具有限定为支撑晶片的顶部表面，该压板包括从该顶部表面的边缘向下延伸至该压板的下表面的外部表面；

溶槽，具有由内部表面限定的内部容积，该溶槽配置为在该内部容积内接收该压板和待支撑在其上的晶片；

密封件，围绕该溶槽的内部表面设置以便当啮合在该溶槽的该内部表面和该压板的该外部表面之间时形成液密密封阻挡；和

若干流体分配喷嘴，设置为在该密封件上方的若干相应位置在该溶槽内分配无电镀溶液。

2.根据权利要求1所述的半导体晶片无电镀设备，其中该压板的外部表面具有与溶槽的内部表面互补的形状。

3.根据权利要求1所述的半导体晶片无电镀设备，其中该压板限定为安装在该溶槽的内部容积内，从而当该压板啮合该密封件时，在该压板的外部表面和该溶槽的内部表面之间形成液体保持容积。

4.根据权利要求1所述的半导体晶片无电镀设备，其中该若干流体分配喷嘴以均匀隔开的方式围绕该密封件设置。

5.根据权利要求1所述的半导体晶片无电镀设备，其中该压板限定为包括若干流体连接至真空源的真空通道，以便为晶片提供真空卡紧能力。 

6.根据权利要求1所述的半导体晶片无电镀设备，进一步包括：

压板提升组件，限定为包括连接至该压板的下部表面的轴以及限定为使该轴和压板能够垂直移动的机构，其中该溶槽限定为包括在该内部表面的中心区域的开口，该轴通过该开口设置和移动。

7.根据权利要求1所述的半导体晶片无电镀设备，进一步包括：

冲洗杆，限定为包括若干冲洗喷嘴，该冲洗杆设在该溶槽上方以便使得在该压板设在该溶槽内时能够将冲洗流体从该若干冲洗喷嘴朝向该压板的顶部表面分配。

8.一种用于半导体晶片无电镀的系统，包括：

压板，限定为具有用于支撑晶片的上部表面和从该上部表面向下延伸的外部表面；

溶槽，限定为接收该压板和待支撑在其上的晶片，以便在该溶槽的内部表面和该压板的外部表面之间形成液体保持容积；

若干流体分配喷嘴，限定为在该压板的该上部表面下方的位置、在该液体保持容积内分配流体；和

流体处理系统，与该若干流体分配喷嘴流体连通，该流体处理系统限定为将无电镀溶液流到并通过该若干流体分配喷嘴，以便利用该无电镀溶液填充该液体保持容积，并使得该无电镀溶液上升并淹没该压板，以便淹没待支撑在该压板的该上部表面上的晶片。

9.根据权利要求8所述的用于半导体晶片无电镀的系统，其中该压板限定为包括连接至热控制装置的加热线圈。 

10.根据权利要求8所述的用于半导体晶片无电镀的系统，其中该压板的外部表面限定为具有从该压板的该上部表面的边缘至该压板的下部表面的恒定的向下和向内的斜度。

11.根据权利要求8所述的用于半导体晶片无电镀的系统，进一步包括：

密封件，设在该溶槽的内部表面上以便啮合该压板的外部表面以在该溶槽的内部表面和该压板的外部表面之间形成液体保持容积。

12.根据权利要求11所述的用于半导体晶片无电镀的系统，其中该若干流体分配喷嘴以均匀隔开的方式设在该密封件上方。

13.根据权利要求8所述的用于半导体晶片无电镀的系统，进一步包括：

压板提升组件，限定为包括连接至该压板的轴和限定为使该轴和压板能够垂直移动的机构，其中该溶槽限定为包括在该内部表面的中心区域的开口，该轴通过该开口设置和移动。

14.根据权利要求8所述的用于半导体晶片无电镀的系统，其中该压板和溶槽设置在环境可控室内，和该流体处理系统设在该环境可控室外面。