[发明专利]光束成形设备有效
申请号: | 200880012592.1 | 申请日: | 2008-04-14 |
公开(公告)号: | CN101675379A | 公开(公告)日: | 2010-03-17 |
发明(设计)人: | R·A·M·希克梅特;T·范博梅尔;T·C·克兰;L·H·C·库斯特斯;S·T·德兹沃特;O·H·威廉森;M·P·C·M·克里恩 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/29;G02B27/22 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 龚海军;刘 红 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光束 成形 设备 | ||
1.一种光束成形设备(1;31),其包括第一光学透明衬底(3; 33)和第二光学透明衬底(4;37)、夹在这两个光学透明衬底中间 的液晶层(2;36),以及设置在所述液晶层(2;36)面向所述第一 衬底(3;34)的那一侧上的第一电极(5;34)和第二电极(6;35), 其中所述光束成形设备(1;31)是可控制的,使得允许光在垂直于 该光束成形设备的方向上穿过所述光束成形设备,其特征在于所述第 一电极和第二电极处于面内构型中,还在于按照在所述第一电极(5; 34)和第二电极(6;35)两端施加电压(V)来产生面内电场的方式 对所述光束成形设备(1;31)进行配置,其中所述电极(5,6;34; 35)的邻近部分之间的电场段基本上平行于所述液晶层(2;36), 并且其中所述段中的平行场基本上贯穿所述液晶层从所述第一衬底 (3;34)延伸到所述第二衬底(4;35)。
2.根据权利要求1所述的光束成形设备(1;31),其中所述第 一电极(5;34)包括第一组(42a)基本上平行的第一电极导体线, 所述第二电极(6;35)包括第一组(42b)基本上平行的第二电极导 体线,所述第一和第二电极(5,6;34,35)设置为形成至少一个导 体对,该导体对包括邻近的第一和第二电极导体线。
3.根据权利要求2所述的光束成形设备(31),其中所述第一 电极(34)进一步包括第二组(43a)基本上平行的第一电极导体线, 所述第二电极(35)包括第二组(43b)基本上平行的第二电极导体 线,所述第一和第二电极设置为使得形成至少一个包括邻近的第一和 第二电极导体线的导体对,其中所述第二组(43a,b)导体线设置为 相对于所述第一组(42a,b)导体线成一定角度。
4.根据权利要求2或3所述的光束成形设备(50),进一步包 括设置在所述液晶层(2)与所述第一电极(51)和第二电极(53) 相反的那一侧上的第三电极(52)和第四电极(54),所述第三电极 具有至少一条第三电极导体线,所述第四电极具有至少一条第四电极 导体线,其中将所述第三电极(52)和第四电极(54)设置为使所述 第三和第四电极导体线中的每一条基本上都与所述第一电极(51)和 第二电极(53)导体线中对应的一条相垂直。
5.根据权利要求1,2或3所述的光束成形设备(1),其中当 所述液晶层(2)不受电场影响时可以被垂直排列。
6.根据权利要求1,2或3所述的光束成形设备(1),其中所 述液晶层(2)具有平面单轴排列,使得当所述液晶层中包括的液晶 分子受电场影响时,所述液晶分子垂直于相邻的导体线。
7.一种光束成形装置(20;30),其包括根据前面任一项权利 要求的第一光束成形设备(21;31)和第二光束成形设备(22;32), 所述第一光束成形设备和第二光束成形设备设置在层叠结构中,其中 所述第一光束成形设备(31)和第二光束成形设备(32)相对于彼此 进行取向,从而使所述第一光束成形设备(31)中包括的第一电极(34) 和第二电极(35)的至少一部分与所述第二光束成形设备(32)中包 括的第一电极(40)和第二电极(41)的相应部分垂直。
8.根据权利要求7所述的光束成形装置(20),其进一步包括 夹在所述第一和第二光束成形设备之间的光学构件(23),其适合于 改变穿过所述光束成形装置(20)的光束的偏振态。
9.一种照明设备,其包括根据权利要求1至6中任一项权利要 求所述的光束成形设备,以及光源,其按照使所述光源发射的光束穿 过所述光束成形设备的方式而设置。
10.根据权利要求9所述的照明设备,其中所述光源是发光二极 管。
11.根据权利要求9所述的照明设备,其中所述光源是半导体激 光器。
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