[发明专利]等离子体监控装置及其方法有效
申请号: | 200880012597.4 | 申请日: | 2008-04-10 |
公开(公告)号: | CN101689497A | 公开(公告)日: | 2010-03-31 |
发明(设计)人: | 申兴铉;安祐正 | 申请(专利权)人: | 株式会社SNU精密 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张 晶 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 监控 装置 及其 方法 | ||
1.一种等离子监控装置,其特征在于,包括:
等离子供给装置,具有电源供给部,用于供给电源;供给线,用 于供给反应气体;放射喷嘴,向处理对象物放射所述等离子供给装置 内部所产生的等离子;
摄像部,其以图像映像方式获得从所述等离子供给装置放射的等 离子放射状态;以及
控制部,其用于对针对所述图像映像的像素信息进行数值化而获 得的测定值和针对正常放射状态下的图像映像进行数值化而获得的 基准值进行比较,以控制等离子的放射状态,
所述等离子供给装置配置在所述处理对象物的上侧或下侧中的 任一侧,用于向所述处理对象物的表面放射等离子,所述摄像部朝着 所述等离子供给装置而配置。
2.根据权利要求1所述的等离子监控装置,其特征在于,所述 控制部根据测定值和基准值的比较结果,调节通过等离子供给装置的 电源供给部供给的电源,控制等离子的放电条件,从而调节等离子的 放射量。
3.根据权利要求1所述的等离子监控装置,其特征在于,所述 等离子供给装置在反应气体供给线上配置有用于调节反应气体供给 量的调节装置,
所述控制部根据测定值和基准值的比较结果,通过等离子供给装 置的调节装置调节等离子的放射量。
4.根据权利要求2或3所述的等离子监控装置,其特征在于, 所述摄像部彼此相隔一定距离而配置多个。
5.根据权利要求4所述的等离子监控装置,其特征在于,当处 理处理对象物的两面时,为了向处理对象物的上面和底面放射等离 子,分别配置所述等离子供给装置,并在所述等离子供给装置的对向 侧分别配置摄像部。
6.根据权利要求5所述的等离子监控装置,其特征在于,所述 摄像部为电荷耦合器件摄像机。
7.一种等离子监控方法,其特征在于,包括:
通过基于放电的反应气体的离子化来产生等离子,并向处理对象 物供给等离子的步骤;
利用电荷耦合器件摄像机以图像映像方式获得所述等离子放射 状态的步骤;
分析所述图像映像的像素信息获得测定值的步骤;
比较所述测定值和正常放射状态下的基准值的比较步骤;以及
当所述测定值和基准值不一致时调节等离子供给量的调节步骤。
8.根据权利要求7所述的等离子监控方法,其特征在于,在所 述比较步骤中,通过比较测定值和基准值来判断两者是否相同,测定 值是否大于基准值,还是小于基准值。
9.根据权利要求7所述的等离子监控方法,其特征在于,所述调 节步骤根据比较步骤的比较结果,如果测定值与基准值相同,则判断 放射状态良好,并维持反应气体的供给量;如果测定值大于基准值, 则减少反应气体的供给量;如果测定值小于基准值,则增加反应气体 的供给量,以增加等离子的产生量。
10.根据权利要求7至9中任何一项所述的等离子监控方法,其 特征在于,所述调节步骤根据比较步骤的比较结果,如果测定值与基 准值相同,则判断放射状态良好,并维持等离子的放电条件;如果测 定值大于基准值,则减少等离子的放电条件;如果测定值小于基准值, 则加大等离子的放电条件,以控制等离子的产生量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造