[发明专利]通过电镀和电镀组成物制造铑接触结构

权利要求书

1.一种制造铑接触结构的方法，包括：

获得其上具有介电层的衬底，其中所述介电层具有凹槽，所述铑接触将沉积在所述凹槽中；

在所述凹槽中和所述介电层上沉积籽晶层；以及通过包括铑盐、酸和应力减轻剂的浴液进行电镀而沉积铑；然后可选地对所述结构进行退火。

2.根据权利要求1的方法，还包括在所述籽晶层与所述介电层之间沉积粘合层。

3.根据权利要求2的方法，其中所述粘合层是选自钛、钽、氮化钛和氮化钽的至少一者。

4.根据权利要求3的方法，其中所述粘合层的厚度为20埃至200埃。

5.根据权利要求1的方法，其中所述籽晶层是选自钌、铂、铜、钨、钴、硫化物和硅的至少一者。

6.根据权利要求1的方法，其中所述籽晶层为钌。

7.根据权利要求1的方法，其中所述籽晶层的厚度为0.006μm至0.25μm。

8.根据权利要求1的方法，其中所述凹槽具有2至约20的纵横比。

9.根据权利要求1的方法，其中所述凹槽具有4至10的纵横比。

10.根据权利要求1的方法，其中所述凹槽具有小到40纳米的CD尺寸。

11.根据权利要求1的方法，其中所述铑盐是选自硫酸铑、磷酸铑、和氯化铑的至少一者。

12.根据权利要求1的方法，其中所述铑盐为硫酸铑。

13.根据权利要求1的方法，其中在所述浴液中所述铑盐的含量为1至100克/升。

14.根据权利要求1的方法，其中在所述浴液中所述铑盐的含量为1至10克/升，其中具体实例为5克/升。

15.根据权利要求1的方法，其中所述酸是选自硫酸、盐酸和磷酸的至少一者。

16.根据权利要求1的方法，其中所述酸是硫酸。

17.根据权利要求1的方法，其中所述浴液的pH值为0.1至约3。

18.根据权利要求1的方法，其中所述浴液的pH值为0.5至约1。

19.根据权利要求1的方法，其中所述应力减轻剂是选自卤化物、具有桥接双配位基硫酸基团的硫酸铑的络合物、氨基磺酸、磺酸、铝离子与二羧酸或聚羧酸的组合物、以及醇的至少一者。

20.根据权利要求1的方法，其中所述铑具有约5微欧姆-cm至约50微欧姆-cm的电阻率，且当在190℃以上退火时具有5微欧姆-cm至20微欧姆-cm的电阻率。

21.根据权利要求1的方法，其中使用1至约100毫安/cm²的电流密度实施所述电镀。

22.根据权利要求21的方法，其中在10℃至80℃的温度下实施所述电镀。

23.根据权利要求1的方法，其中所述衬底为至少200mm。

24.根据权利要求1的方法，其中在阳极与将被镀敷的所述衬底之间存在多孔遮蔽物。

25.根据权利要求1的方法，其中所述遮蔽物的孔隙度从所述衬底的边缘向内朝向中心增加。

26.根据权利要求1的方法，其中所述电镀包括持续1至20秒的0.1毫安/cm²至5毫安/cm²的初始电流密度，随后在5至120秒内升高所述电流密度，且持续60秒至60分钟的1至100毫安/cm²的较高电流密度，以镀敷到期望的厚度。

27.根据权利要求1的方法，其中在190℃以上的温度下，且在空气、O₂、N₂、H₂、形成气体、氩或氦气氛中，退火所述结构。

28.根据权利要求1的方法，还包括平坦化所述结构。

29.一种通过权利要求1的方法获得的结构。

30.根据权利要求29的结构，其中所述凹槽具有至少约2的纵横比。