[发明专利]高对比度的透明导体及其形成方法

权利要求书

1.一种透明导体，包括：

衬底；以及

所述衬底上的传导网络，所述传导网络包括多个金属纳米结构；其中所述透明导体的对比度大于1000。

2.如权利要求1所述的透明导体，其中所述金属纳米结构为金属纳米线、金属纳米管或其组合。

3.如权利要求1所述的透明导体，其中所述对比度大于3000。

4.如权利要求1所述的透明导体，其中所述对比度大于5000。

5.如权利要求1所述的透明导体，其光透射率大于85％。

6.如权利要求1所述的透明导体，其光透射率大于90％。

7.如权利要求1所述的透明导体，其光透射率大于95％。

8.如权利要求1所述的透明导体，其表面电阻率小于1000Ω/□。

9.如权利要求8所述的透明导体，其表面电阻率小于500Ω/□。

10.如权利要求8所述的透明导体，其表面电阻率小于100Ω/□。

11.如权利要求1所述的透明导体，其中，所述传导层的表面电阻率在50Ω/□和400Ω/□之间。

12.如权利要求1所述的透明导体，其中所述透明导体的霾小于5％。

13.如权利要求1所述的透明导体，其中所述透明导体的霾小于1％。

14.如权利要求1所述的透明导体，其中所述纳米结构为金纳米管。

15.如权利要求1所述的透明导体，其中所述纳米结构为合金或双金属纳米管。

16.如权利要求15所述的透明导体，其中所述纳米结构为金/银合金或双金属纳米管。

17.如权利要求1所述的透明导体，其中所述纳米结构为被氧化的纳米管或被氧化的纳米线。

18.如权利要求1所述的透明导体，进一步包括在所述传导网络上的外涂层。

19.如权利要求18所述的透明导体，其中将所述透明导体在至少100℃烘焙1小时使所述透明导体的表面电阻率的改变小于1％。

20.如权利要求18所述的透明导体，其中将所述透明导体在至少200℃烘焙1.5小时使所述透明导体的表面电阻率的改变小于1％。

21.如权利要求18所述的透明导体，其中将所述透明导体暴露于4％的KOH溶液5分钟使所述膜的表面电阻率的改变不大于5％。

22.如权利要求18所述的透明导体，其中将所述透明导体暴露于5％的TMAH溶液5分钟使所述膜的表面电阻率的改变小于1％。

23.如权利要求18所述的透明导体，其中将所述透明导体暴露于IPA 30分钟使所述膜的表面电阻率的改变小于1％。

24.如权利要求18所述的透明导体，其中将所述透明导体暴露于NMP 30分钟使所述膜的表面电阻率的改变小于1％。

25.一种组合物，包括：

溶剂；

粘度调节剂；

表面活性剂；以及

多个金属纳米管，其中按重量计算，纳米管的百分比从0.05％至1.4％。

26.如权利要求25所述的组合物，其中所述溶剂为水、酒精、酮、醚、碳氢化合物或芳香族溶剂。

27.如权利要求25所述的组合物，其中所述粘度调节剂为羟丙基甲基纤维素(HPMC)、甲基纤维素、黄原胶、聚乙烯醇、羧甲基纤维素、或羟乙基纤维素。

28.如权利要求25所述的组合物，其中所述表面活性剂为ZonylFSN、ZonylFSO、ZonylFFA、ZonylFSH、Triton、Dynol、正十二烷基-β-D-麦芽糖苷或Novek。

29.一种组合物，包括：

溶剂；

粘度调节剂；

表面活性剂；以及

多个金属纳米管，其中所述表面活性剂与所述粘度调节剂的比例为约80至约0.01。