[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

(a)衬底，其由六方晶系的碳化硅构成，并且具有相对于与(0001) 面垂直的面形成一度以下的最小角度的主表面；

(b)半导体层，其由六方晶系的碳化硅SiC构成，并且布置在所 述衬底的一个主表面上；

(c)源极区，其由六方晶系的碳化硅SiC构成，并且形成在所述 半导体层的一个表面层中；以及

(d)漏极区，其由六方晶系的碳化硅SiC构成，并且形成在所述 半导体层的所述表面层中，与所述源极区隔开一定的距离。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述衬底的所述主表面相对于与(11-20)面等价的面形成一度以 下的最小角度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述衬底的所述主表面相对于与(1-100)面等价的面形成一度以 下的最小角度。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体器件，所述器件 进一步包括：

设置在所述表面层中且位于设置在所述半导体层的所述一个主表 面上的所述源极区与所述漏极区之间的栅极区。

5.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体器件，所述器件 进一步包括：

(a)设置在所述表面层中且位于设置在所述半导体层的所述一个 主表面上的所述源极区与所述漏极区之间的栅极绝缘膜；以及

(b)在所述栅极绝缘膜的一个主表面上的栅电极。

6.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体器件，所述器件 进一步包括：设置在所述表面层中且位于设置在所述半导体层的所述 一个主表面上的所述源极区和所述漏极区之间的栅电极，所述栅电极 与所述半导体层形成肖特基接触。

7.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下各步骤：

(a)制备衬底，所述衬底由六方晶系的碳化硅构成，并且具有相 对于与(0001)面垂直的面形成一度以下的最小角度的主表面；

(b)形成半导体层，所述半导体层由六方晶系的碳化硅SiC构成， 并且布置在所述衬底的一个主表面上；以及

(c)形成由六方晶系的碳化硅SiC构成的源极区和由六方晶系的 碳化硅SiC构成的漏极区，其中，在所述半导体层的一个表面层中形 成所述源极区，以及在所述半导体层的所述表面层中形成所述漏极区 使其与所述源极区隔开一定的距离。

8.根据权利要求7所述的制造半导体器件的方法，其中，

所述衬底的所述主表面相对于与(11-20)面等价的面形成一度以 下的最小角度。

9.根据权利要求7所述的制造半导体器件的方法，其中，

所述衬底的所述主表面相对于与(1-100)面等价的面形成一度以 下的最小角度。

10.根据权利要求7至9中的任一项所述的制造半导体器件的方 法，所述方法进一步包括：

在位于所述半导体层的所述一个主表面上的所述源极区和所述漏 极区之间的所述表面层中形成栅极区的步骤。

11.根据权利要求7至9中的任一项所述的制造半导体器件的方 法，所述方法进一步包括以下步骤：

(a)在位于所述半导体层的所述一个主表面上的所述源极区和所 述漏极区之间的所述表面层中形成栅极绝缘膜；以及

(b)在所述栅极绝缘膜的一个主表面上形成栅电极。

12.根据权利要求7至9中的任一项所述的制造半导体器件的方 法，所述方法进一步包括：

在位于所述半导体层的所述一个主表面上的所述源极区和所述漏 极区之间的所述表面层上形成栅电极的步骤，所述栅电极与半导体层 形成肖特基接触。