[发明专利]生物传感器芯片及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200880013443.7 申请日: 2008-04-22
公开(公告)号: CN101669025A 公开(公告)日: 2010-03-10
发明(设计)人: 巴勃罗·加西亚·特略;埃弗利娜·格里德莱特;弗朗西斯库斯·威德肖温 申请(专利权)人: NXP股份有限公司
主分类号: G01N27/02 分类号: G01N27/02;G01N33/543;H01L23/522
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 代理人: 陈 源;张天舒
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 生物 传感器 芯片 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种生物传感器芯片(100),其用于检测生物微粒,所述生物传感器芯片(100)适合作为生物传感器阵列,并且包括: 

多个传感器活性区域(101),单片集成在共用衬底(118)上, 

每一个传感器活性区域(101)包括铜材料的纳米电极(108),对所述生物微粒敏感,并被布置在所述生物传感器芯片(100)的后端线部分(102)中,其中,所述传感器活性区域(101)的暴露的铜表面的直径最大为用于制造所述生物传感器芯片(100)的CMOS工艺的最小铜通孔的平板印刷的最小特征尺寸的1.6倍,使得所述生物传感器芯片用在单分子检测层面。 

2.根据权利要求1所述的生物传感器芯片(100),其中,所述传感器活性区域(101)的暴露的铜表面的直径最大为用于制造所述生物传感器芯片(100)的CMOS工艺的最小铜通孔的平板印刷的最小特征尺寸的1.1倍。 

3.根据权利要求1所述的生物传感器芯片(100),其中,所述传感器活性区域(101)的暴露的铜表面的直径最大为用于制造所述生物传感器芯片(100)的CMOS工艺的最小铜通孔的平板印刷的最小特征尺寸的0.7倍。 

4.根据权利要求1所述的生物传感器芯片(100),其中,所述传感器活性区域(101)被布置在所述生物传感器芯片(100)的后端线部分(102)的上表面(103)。 

5.根据权利要求1所述的生物传感器芯片(100),其包括所述后端线部分(102)中的至少一个中间金属化结构(104至106),其中,所述传感器活性区域(101)通过所述至少一个中间金属化结构(104至106)电耦接至所述生物传感器芯片(100)的前端线部分(107)。 

6.根据权利要求5所述的生物传感器芯片(100),其中所述中间金属化结构是中间铜结构。 

7.根据权利要求1所述的生物传感器芯片(100),其包括至少部分形成在后端线部分(102)中的电容器结构(108,109),所述电容器 结构(108,109)被布置为使得所述传感器活性区域(101)中的检测事件能够影响所述电容器结构(108,109)的电容值。 

8.根据权利要求1所述的生物传感器芯片(100),其包括形成在前端线部分(107)中并电耦接至所述传感器活性区域(101)的开关晶体管结构(113)。 

9.根据权利要求1所述的生物传感器芯片(100),其包括一个或多个布置在所述传感器活性区域(101)的暴露表面(103)上并适于与所述生物微粒相互作用的捕获分子(112)。 

10.根据权利要求1所述的生物传感器芯片(100),其中,所述纳米电极(105)的暴露表面(103)具有小于300nm的尺寸。 

11.根据权利要求1所述的生物传感器芯片(100),其中,所述纳米电极(108)包括由自组装单分子层覆盖的铜材料。 

12.根据权利要求1所述的生物传感器芯片(100),其包括电绝缘层(116),所述电绝缘层(116)形成了所述生物传感器芯片(100)的部分表面并具有凹槽(117),其中,所述传感器活性区域(101)的暴露表面(103)和所述电绝缘层(116)在所述凹槽(117)中形成了感应容器。 

13.根据权利要求1所述的生物传感器芯片(100),其由具有嵌入式闪存或嵌入式DRAM的嵌入式选项的CMOS技术制造。 

14.根据权利要求1所述的生物传感器芯片(100),其中所述衬底是半导体衬底(118),包括由IV族半导体和III族-V族半导体组成的组中的一种半导体。 

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