[发明专利]微光刻曝光装置中照明掩模的照明系统有效
申请号: | 200880013453.0 | 申请日: | 2008-04-25 |
公开(公告)号: | CN101669071A | 公开(公告)日: | 2010-03-10 |
发明(设计)人: | 马库斯·德冈瑟;保罗·格劳普纳;于尔根·费希尔 | 申请(专利权)人: | 卡尔蔡司SMT股份公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 邱 军 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 微光 曝光 装置 照明 系统 | ||
1.一种微光刻曝光装置中照明掩模(16)的照明系统,包括:
a)光轴(60;460),
b)光瞳表面(70;470),
c)反射或透明光束偏转元件(Mij)的光束偏转阵列(46;446),其中
-每一个偏转元件(Mij)适配,以将打入光线偏转一偏转角,所述偏转 角是响应于控制信号而可变的,并且其中
-偏转元件(Mij)至少大体上布置在第一平面(40;440)中,
d)光学光栅元件(34;434),其
-包括多个微透镜和/或衍射结构,并且
-被布置在第二平面(34;434)中,
其中,光束偏转阵列(46;446)以及光学光栅元件(34;434)共同产 生两维远场强度分布(C),其特征在于
使得第一平面(40;440)与第二平面(34;434)光学共轭的光学成像 系统(40,41;440,441)。
2.如权利要求1所述的照明系统,其特征在于,两维远场强度分布(C) 是光束偏转阵列(46;446)所产生的远场强度分布(D’ij)和光学光栅元件 (34;434)所产生的远场强度分布(Dij)的卷积。
3.如权利要求1或2所述的照明系统,其特征在于,光学光栅元件(34; 434)包括多个域(Zij),其中每一个域通过光学成像系统(40,41;440, 441)产生的光学共轭与光束偏转阵列(46;446)中的至少一个光束偏转元 件(Mij)相关联,并且其中至少两个域(Zij)产生不同的远场强度分布(Dij)。
4.如权利要求2所述的照明系统,其特征在于,每一光束偏转元件(Mij) 配置为处于“开启”状态或“关断”状态,其中确定“开启”状态以便经偏 转的光束通过光瞳表面(470),并且其中确定“关断”状态以便经偏转的光 束不通过光瞳表面(470)。
5.如权利要求3所述的照明系统,其特征在于,确定由多个域(Zij) 产生的远场强度分布以便如果全部光束偏转元件(Mij)处于“开启”状态则 至少照明光瞳表面(470)的可用区域的70%。
6.如权利要求3所述的照明系统,其特征在于,至少两个域(Zij)中 的每一个产生至少大体上成具有n个角的多边形形状的远场强度分布(Dij), n≠4。
7.如权利要求6所述的照明系统,其特征在于,所述多边形具有不同 的角取向。
8.如权利要求3所述的照明系统,其特征在于,由多个第一域(Z11至 Z36)产生的远场强度分布(图13中D11至D36)是第一正六边形,以及由多 个第二域(Z41至Z66)产生的远场强度分布(D41至D66)是通过旋转第一正 六边形30°所获得的第二正六边形。
9.如权利要求1所述的照明系统,其特征在于,第一平面(40;440) 是光学成像系统(40,41;440,441)的物平面,以及第二平面(34;434) 是所述光学成像系统的像平面。
10.如权利要求1所述的照明系统,其特征在于第二平面(34;434) 是所述光学成像系统的物平面,以及第一平面(40;440)是所述光学成像 系统(40,41;440,441)的像平面。
11.如权利要求1所述的照明系统,其特征在于,至少大体上平的折叠 镜(41;442)布置在所述光学成像系统(40,41;440,441)中。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于卡尔蔡司SMT股份公司,未经卡尔蔡司SMT股份公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880013453.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。