[发明专利]光电子半导体本体及其制造方法

权利要求书

1.一种光电子半导体本体，具有：半导体层序列，该半导体层序列具有适于产生电磁辐射的有源层；以及第一和第二电连接层，其中

-半导体本体被设置用于从正面发射电磁辐射，

-第一和第二电连接层被布置在与正面对置的背面上，并且借助分离层彼此电绝缘，

-第一电连接层、第二电连接层和分离层横向重叠，

-第二电连接层的部分区域从背面穿过有源层的贯穿部朝着正面的方向延伸，以及

-第一电连接层具有电接触区，该电接触区适于从半导体本体的正面电接触半导体本体，和/或

-第二电连接层具有电接触区，该电接触区适于从半导体本体的正面电接触半导体本体。

2.根据权利要求1所述的光电子半导体本体，其中第一和/或第二电连接层将由有源区朝着背面的方向发射的电磁辐射的部分朝着正面的方向反射。

3.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体本体，其中半导体层序列没有生长衬底。

4.根据权利要求1或2所述的光电子半导体本体，该光电子半导体本体在其背面上具有支承衬底。

5.根据权利要求1或2所述的光电子半导体本体，其中在半导体层序列和第一和/或第二电连接层之间至少部分地布置有半导电的或者电绝缘的镜面层，该镜面层具有多个开口，并且第一和/或第二电连接层通过开口向半导体层序列延伸。

6.根据权利要求1或2所述的光电子半导体本体，其中半导体层序列具有与背面相邻的电流扩展层，该电流扩展层包含透明导电氧化物。

7.根据权利要求1或2所述的光电子半导体本体，其中第一和/或第二电连接层具有多层结构，该多层结构具有增附层、反射层和/或电流分布层。

8.根据权利要求1或2所述的光电子半导体本体，其中第一和/或第二电连接层具有电接触区，该电接触区适于从半导体本体的背面电接触半导体本体。

9.根据权利要求1或2所述的光电子半导体本体，其中半导体层序列具有布置在正面上的缓冲层，该缓冲层具有低的导电能力并且未被掺杂或者被弱地n掺杂。

10.一种用于制造光电子半导体本体的方法，包括以下步骤：

-在生长衬底上外延生长半导体层序列，该半导体层序列具有适于产生电磁辐射的有源层，并且被设置用于从正面发射电磁辐射；

-将第一电连接层施加在半导体层序列的背面上；

-在有源层中构建贯穿部；

-在半导体层序列的背面上构建分离层；以及

-在半导体层序列的背面上施加第二电连接层，

其中

-第一电连接层、分离层和第二电连接层横向重叠地构建，

-第二电连接层的部分区域被构建在贯穿部中，

-第二电连接层借助分离层与第一电连接层电绝缘，以及

-构建第一电连接层的电接触区，该电接触区适于从半导体本体的正面电接触半导体本体，和/或

-构建第二电连接层的电接触区，该电接触区适于从半导体本体的正面电接触半导体本体。

11.根据权利要求10所述的方法，其中去除生长衬底的至少一部分，并且在背面上布置或者构建支承衬底。

12.根据权利要求10或11所述的方法，其中

-在半导体层序列的背面上部分地构建半导电的或者电绝缘的镜面层，

-在半导电的或者电绝缘的镜面层中构建多个开口，并且

-施加第一和/或第二电连接层，使得它们延伸穿过开口。

13.根据权利要求10或11所述的方法，其中外延生长半导体层序列包括生长具有低的导电能力的缓冲层，去除生长衬底的至少一部分，并且在去除生长衬底时暴露缓冲层。