[发明专利]光检测装置和具备它的显示装置

权利要求书

1.一种光检测装置，其特征在于：

其包括光透过性的基底基板、设置在所述基底基板的一个主面上 的金属膜、配置在所述金属膜的上层的光电二极管、和配置在所述金 属膜的上层的所述光电二极管周边的电极，

所述光电二极管具备具有半导体区域的硅膜，所述硅膜相对于所 述金属膜电绝缘，

所述电极相对于所述金属膜和所述硅膜电绝缘，

所述金属膜形成为，在所述基底基板的厚度方向上，其一部分与 所述硅膜重叠，所述一部分以外的部分与所述电极重叠。

2.如权利要求1所述的光检测装置，其特征在于：

所述硅膜具有p型半导体区域、本征半导体区域、和n型半导体 区域，

所述p型半导体区域、所述本征半导体区域、和所述n型半导体 区域在所述硅膜的面方向上邻接。

3.一种显示装置，其包括有源矩阵基板，该显示装置的特征在于：

所述有源矩阵基板包括光透过性的基底基板、形成在所述基底基 板的一个主面上的多个有源元件、和光检测装置，

所述光检测装置包括设置在所述基底基板的一个主面上的金属 膜、配置在所述金属膜的上层的光电二极管、和配置在所述金属膜的 上层的所述光电二极管周边的电极，

所述光电二极管具备具有半导体区域的硅膜，所述硅膜相对于所 述金属膜电绝缘，

所述电极相对于所述金属膜和所述硅膜电绝缘，

所述金属膜形成为，在所述基底基板的厚度方向上，其一部分与 所述硅膜重叠，所述一部分以外的部分与所述电极重叠。

4.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于：

所述硅膜具有p型半导体区域、本征半导体区域、和n型半导体 区域，

所述p型半导体区域、所述本征半导体区域、和所述n型半导体 区域在所述硅膜的面方向上邻接。

5.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于：

所述电极是与所述多个有源元件的任一个连接的配线的一部分。