[发明专利]在氮化铌上包括氧化钽层的构造及装置及其产生方法

权利要求书

1、一种构造，其包含：

包含氮化铌的电极；及

邻近于所述电极的至少一部分的氧化钽层。

2、根据权利要求1所述的构造，其中所述电极包含氮化铌表面。

3、根据权利要求1所述的构造，其中所述电极包含的表面具有邻近于其至少一部分的氧化铌。

4、根据权利要求3所述的构造，其中所述氧化铌的至少一部分是无定形的。

5、根据权利要求3所述的构造，其中所述氧化铌的至少一部分是晶形的。

6、根据权利要求3所述的构造，其中所述氧化钽层邻近于所述电极的上面具有氧化铌的至少一部分。

7、一种构造，其包含：

包含具有六边形密堆积结构的晶形氮化铌的电极；及

邻近于所述电极的至少一部分的氧化钽层。

8、根据权利要求7所述的构造，其中所述氧化铌层的至少一部分是晶形的。

9、根据权利要求8所述的构造，其中所述晶形氧化钽的至少一部分是六边形结构。

10、根据权利要求8所述的构造，其中所述晶形氧化钽的至少一部分是经结晶学取向的。

11、根据权利要求10所述的构造，其中所述经结晶学取向的氧化钽是经c-轴取向的。

12、根据权利要求11所述的构造，其中所述经c-轴取向的氧化钽具有六边形结构。

13、根据权利要求7所述的构造，其中所述氧化钽层具有至少50的介电常数。

14、一种电容器，其包含：

包含氮化铌的第一电极；

邻近于所述第一电极的至少一部分的氧化钽层；及

邻近于所述氧化钽层的至少一部分的第二电极。

15、根据权利要求14所述的电容器，其中所述第二电极包含氮化铌及/或钌。

16、一种电容器，其包含：

包含具有六边形密堆积结构的晶形氮化铌的第一电极；

邻近于所述第一电极的至少一部分的氧化钽层；及

邻近于所述氧化钽层的至少一部分的第二电极。

17、根据权利要求16所述的电容器，其中所述氧化钽层是晶形的且具有至少50的介电常数。

18、根据权利要求17所述的电容器，其中所述氧化钽层的至少一部分是经c-轴取向的且具有六边形结构。

19、一种半导体装置，其包含：

半导体衬底或衬底组合件；

邻近于所述半导体衬底或衬底组合件的至少一部分的氮化铌；

邻近于所述氮化铌的至少一部分的氧化钽层；及

邻近于所述氧化钽层的至少一部分的电极。

20、根据权利要求19所述的半导体装置，其中所述电极包含氮化铌及/或钌。

21、一种形成介电层的方法，其包含邻近于包含氮化铌的表面沉积氧化钽层。

22、根据权利要求21所述的方法，其中使用气相沉积方法沉积所述氧化钽层。

23、根据权利要求22所述的方法，其中在从300℃到450℃的沉积温度下沉积所述氧化钽。

24、根据权利要求22所述的方法，其中所述气相沉积方法包含化学气相沉积。

25、根据权利要求22所述的方法，其中所述气相沉积方法包含原子层沉积。

26、根据权利要求21所述的方法，其进一步包含对所述所形成的氧化钽层进行退火。

27、一种形成介电层的方法，其包含：

提供包含氮化铌且具有邻近于其表面的至少一部分的氧化铌的电极；及

邻近于所述电极的所述表面的上面具有氧化铌的至少一部分沉积氧化钽层。

28、根据权利要求27所述的方法，其中所述氧化铌的至少一部分是无定形的、部分晶形的或晶形的。

29、一种制造电容器的方法，其包含：

邻近于包含氮化铌的第一电极的至少一部分形成氧化钽层；及

邻近于所述氧化钽层的至少一部分形成第二电极。