[发明专利]激光器器件

权利要求书

1.一种激光器器件，包括：

增益媒质，其具有对于特定电磁波的增益；

谐振器结构，其用于使所述电磁波谐振；

波导，其通过将所述增益媒质插入在第一包层和第二包层之间形 成，每个包层包括相对于所述特定电磁波其介电常数的实部为负的负介 电常数媒质；和

电阻器元件，其用于使第一包层和第二包层之间的电位差稳定，所 述电阻器元件被设置到当所述电磁波在所述波导中传播时以第二包层设 定作为参考时第一包层中的表面电流为极大值的部分。

2.如权利要求1所述的激光器器件，

其中所述波导包括在所述电磁波的传播方向上的要作为开放端的端 面，

其中所述电阻器元件所设置到的所述部分至少包括在光学长度上与 所述端面分开所述电磁波的1/4波长的部分。

3.如权利要求1所述的激光器器件，

其中所述波导包括在所述电磁波的传播方向上的要作为固定端的端 面，

其中所述电阻器元件所设置到的所述部分至少包括在光学长度上与 所述端面分开所述电磁波的1/2波长的部分。

4.如权利要求1所述的激光器器件，其中所述电阻器元件是由导电 材料形成的膜电阻器元件。

5.如权利要求1所述的激光器器件，其中所述电阻器元件包括半金 属、透明导电膜和半导体之一。

6.如权利要求1所述的激光器器件，其中所述电阻器元件包括半导 体，并包括在金属和所述半导体之间产生的肖特基势垒。

7.如权利要求1所述的激光器器件，其中提供多个所述表面电流为 极大值的部分，具有不同符号的电阻温度系数的电阻器元件被设置到所 述多个所述表面电流为极大值的部分。

8.如权利要求1所述的激光器器件，其中所述负介电常数媒质包括 下列之一：金属、载流子掺杂的半导体、以及载流子掺杂的半导体和金 属。

9.如权利要求1所述的激光器器件，其中所述增益媒质是基于光子 辅助隧穿的谐振隧穿二极管。

10.如权利要求1所述的激光器器件，其中所述电磁波是具有在从 30GHz到30THz范围内的频率的电磁波。

11.一种激光器器件，包括：

增益媒质，其具有对于频率在从30GHz到30THz的范围内的电 磁波的增益；

谐振器结构，其用于使所述电磁波谐振；

波导，其通过将所述增益媒质插入在第一包层和第二包层之间形 成，每个包层包括对于所述电磁波其介电常数的实部为负的负介电常数 媒质；和

电阻器元件，其用于使第一包层和第二包层之间的电位差稳定，所 述电阻器元件被设置到当所述电磁波在所述波导中传播时以第二包层设 定作为参考时第一包层中表面电流为极大值的部分，

其中所述波导包括在所述电磁波的传播方向上的要作为开放端的端 面，所述电阻器元件所设置到的所述部分至少包括在光学长度上与所述 端面分开所述电磁波的1/4波长的部分；或者所述波导包括在所述电磁 波的所述传播方向上要作为固定端的端面，所述电阻器元件所设置到的 所述部分至少包括在光学长度上与所述端面分开所述电磁波的1/2波长 的部分。

12.一种激光器器件，包括：

增益媒质，其具有对于频率在从30GHz到30THz的范围内的电 磁波的增益；

谐振器结构，其用于使所述电磁波谐振；

波导，其通过将所述增益媒质插入在第一包层和第二包层之间形 成，每个包层包括对于所述电磁波其介电常数的实部为负的负介电常数 媒质；和

电阻器元件，其用于使第一包层和第二包层之间的电位差稳定，所 述电阻器元件被设置到当所述电磁波在所述波导中传播时以第二包层设 定作为参考时第一包层中表面电流为极大值的部分，

其中所述电阻器元件包括半导体并且是膜电阻器元件，所述膜电阻 器元件包括在金属和所述半导体之间产生的肖特基势垒。