[发明专利]硬掩模开口以及利用硬掩模开口的蚀刻形貌控制

权利要求书

1.一种用于开口在基片上方的蚀刻层上形成的碳基硬掩模层的 方法，该硬掩模层设在图案化的掩模下方，该方法包括：

将该基片设在等离子处理室；以及

开口该硬掩模层，包括：

将含有COS组分的硬掩模开口气体通入该等离子 室；

由该硬掩模开口气体形成等离子；以及

停止该硬掩模开口气体的通入。

2.根据权利要求1所述的方法，其中该硬掩模层由无定形碳组 成。

3.根据权利要求1所述的方法，其中该硬掩模层由旋涂碳组成。

4.根据权利要求1所述的方法，其中该硬掩模开口气体进一步包 括O₂。

5.根据权利要求4所述的方法，其中该硬掩模开口气体包括O₂、 COS和稀释气体。

6.根据权利要求1所述的方法，其中该硬掩模开口气体进一步包 括O₂、CO₂、N₂或H₂至少一个。

7.根据权利要求1所述的方法，其中在该图案化的掩模和该硬掩 模层之间提供氧化物基材料层，该方法进一步包括：使用该图 案化的掩模图案化该氧化物基材料层，

以及其中该硬掩模层通过该图案化的氧化物基材料层而 开口。

8.一种开口形成在基片上方的蚀刻层上的多层抗蚀剂掩模中的 旋涂碳层的方法，该多层抗蚀剂掩模包括该旋涂碳层、设在该 旋涂碳层上方的氧化物基材料层和设在该氧化物基材料层上 的图案化的掩模，该方法包括：

将该基片设在等离子处理室；

使用该图案化的掩模图案化该氧化物基材料层；以及

使用该图案化的氧化物基材料层开口该旋涂碳层，该开 口包括：

将包含COS组分的硬掩模开口气体通入该等离子处 理室；

由该硬掩模开口气体形成等离子；以及

停止该硬掩模开口气体的通入。

9.根据权利要求8所述的方法，其中该硬掩模开口气体进一步包 括O₂。

10.根据权利要求9所述的方法，其中该硬掩模开口气体包括O₂、 COS和稀释气体。

11.根据权利要求8所述的方法，其中该硬掩模开口气体进一步包 括O₂、CO₂、N₂或H₂中至少一个。

12.根据权利要求8所述的方法，其中COS是该硬掩模开口气体 总流量的1％至25％。

13.根据权利要求12所述的方法，其中COS是该硬掩模开口气体 总流量的5％至15％。

14.根据权利要求13所述的方法，其中COS是该硬掩模开口气体 总流量的10％。

15.一种使用形成在其上的多层抗蚀剂掩模蚀刻基片上方的蚀刻 层的方法，该多层抗蚀剂掩模包括形成在该蚀刻层上的旋涂碳 层、设在该旋涂碳层上的氧化物基材料层和设在该氧化物基材 料层上的图案化的掩模，该方法包括：

将该基片设在等离子处理室；

使用该图案化的掩模图案化该氧化物基材料层；

开口该旋涂碳层使用该图案化的氧化物基材料层，该开 口包括：

将包括COS组分的硬掩模开口气体通入该等离子处 理室；

由该硬掩模开口气体形成等离子；以及

停止该硬掩模开口气体的通入；

通过该开口的旋涂碳层将特征蚀刻进该蚀刻层；以及

去除该图案化的旋涂碳层。