[发明专利]一种具有填料层的光电装置及其制造方法无效
申请号: | 200880014736.7 | 申请日: | 2008-03-12 |
公开(公告)号: | CN101755344A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 马库斯·E·贝克;布莱恩·康普司滕 | 申请(专利权)人: | 索林塔有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 颜涛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 填料 光电 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种用于将光转换为电流的装置,该装置包括:
外壳结构,其中该外壳结构的至少一部分是透明的,且被设置成能使 光能穿过而进入该外壳结构内部;
至少一个光电装置,设置在所述外壳结构内部,且设置成接收所述光 能,该至少一个光电装置能够将该光能转换为电流,其中在该至少一个光 电装置中的光电装置包括具有20GPa或更大杨氏模量的基底;和
保护性间隔材料,设置在所述外壳结构和所述至少一个光电装置之间 且能够传输所述光能,该保护性间隔材料为非固态材料,其中该保护性间 隔材料仅部分填充位于所述外壳结构与所述至少一个光电装置之间的体 积。
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述保护性间隔材料具有小于 1×106cP的粘性。
3.根据权利要求1所述的装置,其中所述保护性间隔材料具有大于 500×10-6/℃的热膨胀系数。
4.根据权利要求1所述的装置,其中所述保护性间隔材料具有大于 1000×10-6/℃的热膨胀系数。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的装置,其中所述保护性间隔材 料包含聚二甲基硅氧烷聚合物。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的装置,其中所述保护性间隔材 料按重量包含:
小于50%的绝缘胶或用于形成绝缘胶的成分;和
至少30%的硅树脂油,该硅树脂油具有不超过所述绝缘胶或用于形成 所述绝缘胶的成分的初始粘性一半的初始粘性。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的装置,其中所述保护性间隔材 料具有大于500×10-6/℃的热膨胀系数,且其中所述保护性间隔材料按重量 包含:
小于50%的绝缘胶或用于形成绝缘胶的成分;和
至少30%的硅树脂油。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的装置,其中所述保护性间隔材 料是由与绝缘胶混合的硅树脂油形成的。
9.根据权利要求8所述的装置,其中所述硅树脂油为聚二甲基硅氧烷 聚合物液体,和所述绝缘胶为第一硅树脂人造橡胶和第二硅树脂人造橡胶 的混合物。
10.根据权利要求1所述的装置,其中所述保护性间隔材料是由X% 重量的聚二甲基硅氧烷聚合物液体,Y%重量的第一硅树脂人造橡胶和Z% 重量的第二硅树脂人造橡胶形成的,其中X、Y和Z的和为100。
11.根据权利要求10所述的装置,其中所述聚二甲基硅氧烷聚合物液 体具有(CH3)3SiO[SiO(CH3)2]nSi(CH3)3的化学式,其中n在整数范围内选取, 使得所述聚合物液体具有在50厘沲至100,000厘沲范围内的平均本体粘性。
12.根据权利要求10所述的装置,其中所述第一硅树脂人造橡胶包含 至少60%重量的二甲基乙烯基端二甲基硅氧烷和3%重量至7%重量的硅酸 盐。
13.根据权利要求10所述的装置,其中所述第二硅树脂人造橡胶包含:
(i)至少60%重量的二甲基乙烯基端二甲基硅氧烷;
(ii)10%重量至30%重量的氢端二甲基硅氧烷;和
(iii)3%重量至7%重量的三甲基色氨酸硅石。
14.根据权利要求10所述的装置,其中
X在30至90之间;
Y在2至20之间;和
Z在2至20之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的