[发明专利]具有改善的传输线完整性与增加的布线密度的多层电路基板和方法有效

专利信息
申请号: 200880014942.8 申请日: 2008-04-25
公开(公告)号: CN101675519A 公开(公告)日: 2010-03-17
发明(设计)人: R·D·魏可利;A·哈瑞达斯;钟成俊 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: H01L23/66 分类号: H01L23/66;H01L23/498
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 于 静;杨晓光
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 具有 改善 传输线 完整性 增加 布线 密度 多层 路基 方法
【权利要求书】:

1.一种用于集成电路封装的基板,包括:

芯部,其包括具有大直径导电过孔图形的介电层,所述过孔从所述介 电层的顶侧延伸穿透至其底侧,其中所述大直径导电过孔包括信号承载过 孔和电压平面过孔;

第一顶部绝缘层,其沉积在所述芯部的顶侧上;

顶部传输线参考平面金属层,其设置在所述第一顶部绝缘层的顶侧 上;

第二顶部绝缘层,其设置在所述顶部传输线参考平面金属层的顶侧 上;

顶部信号层,其具有导电路径,所述导电路径被布线在所述电压平面 过孔的顶部上方并穿过所述第一和第二顶部绝缘层以及所述顶部传输线 参考平面金属层而连接至所述信号承载过孔的顶侧,其中所述顶部传输线 参考平面金属层为由所述顶部信号层的所述导电路径形成的传输线提供 参考平面,且其中所述顶部传输线参考平面金属层限定这样的区域,这些 区域没有在所有所述信号承载过孔的顶部区域上方延伸的金属,从而显著 减少在所述信号承载过孔顶端与所述顶部传输线参考平面金属层之间的 电容耦合。

2.根据权利要求1的基板,其中所述顶部传输线参考平面金属层在所 述电压平面过孔的顶部上方提供连续屏蔽,从而使在所述电压平面过孔的 顶部与所述顶部传输线参考平面金属层之间的电容耦合最大化。

3.根据权利要求2的基板,其中所述顶部传输线参考平面金属层被电 连接到至少一些所述电压平面过孔,从而使所述顶部传输线参考平面金属 层电耦合至集成在所述集成电路封装内的电路的电压平面。

4.根据权利要求3的基板,还包括金属电压平面区域,其被设置在位 于所述第一顶部绝缘层之下的所述芯部的顶侧上且电连接至另一电压平 面。

5.根据权利要求3的基板,其中所述电压平面是为所述电路提供的接 地连接。

6.根据权利要求3的基板,其中所述电压平面是为所述电路提供的输 入/输出信号参考电压。

7.根据权利要求1的基板,还包括:

第一底部绝缘层,其设置在所述芯部的底侧上;

底部传输线参考平面金属层,其设置在所述第一底部绝缘层的底侧 上;

第二底部绝缘层,其设置在所述底部传输线参考平面金属层的底侧 上;

底部信号层,其具有导电路径,所述导电路径被布线在所述电压平面 过孔的底部下方并穿过所述第一和第二底部绝缘层以及所述底部传输线 参考平面金属层而连接至所述信号承载过孔的底侧,其中所述底部传输线 参考平面金属层为由所述底部信号层的所述导电路径形成的传输线提供 参考平面,且其中所述底部传输线参考平面金属层限定这样的区域,这些 区域没有在所有所述信号承载过孔的底部区域下方延伸的金属,从而显著 减少在所述信号承载过孔底端与所述底部传输线参考平面金属层之间的 电容耦合。

8.根据权利要求1的基板,其中所述导电过孔为树脂填充的镀敷通孔。

9.根据权利要求1的基板,其中所述介电层为有机芯部层。

10.一种制造集成电路的方法,包括:

提供芯部,所述芯部包括具有大直径导电过孔图形的介电层,所述过 孔从所述介电层的顶侧延伸穿透至其底侧,其中所述大直径导电过孔包括 信号承载过孔和电压平面过孔;

在所述芯部的顶侧上层压第一顶部绝缘层;

在所述第一顶部绝缘层的顶侧上沉积顶部传输线参考平面金属层;

在所述顶部传输线参考平面金属层的顶侧上层压第二顶部绝缘层;以 及

在所述第二顶部绝缘层的顶侧上形成顶部信号层,所述顶部信号层具 有被布线在所述电压平面过孔上方的导电路径,且其中所述沉积所述顶部 传输线参考平面金属层的步骤限定这样的区域,这些区域没有在所述信号 承载过孔上方的金属,从而显著减少在所述信号承载过孔顶部与所述顶部 传输线参考平面金属层之间的电容耦合。

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