[发明专利]用于印刷对准的纳米线及其它电装置的方法及系统无效
申请号: | 200880014974.8 | 申请日: | 2008-05-05 |
公开(公告)号: | CN101711421A | 公开(公告)日: | 2010-05-19 |
发明(设计)人: | J·华莱士·帕斯;詹姆斯·M·汉密尔顿;塞缪尔·马丁;埃里克·弗里尔 | 申请(专利权)人: | 纳诺西斯有限公司;夏普股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王允方 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 印刷 对准 纳米 其它 装置 方法 系统 | ||
1.一种用于将纳米线转移到目的地表面的方法,其包含:
在电极对附近提供至少一个纳米线;
用所述电极对的电极产生电场,以使所述至少一个纳米线与所述电极相关联;
使所述电极对与所述目的地表面的一区域对准:以及
将所述至少一个纳米线从所述电极对沉积到所述区域。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述电极对安放到转移表面,所述方法进一步包含:
配置所述转移表面以具有第一电荷。
3.根据权利要求2所述的方法,其中所述第一电荷对所述至少一个纳米线施加静电斥力,其中所述产生包含:
配置所述电场以对抗所述静电斥力而将所述至少一个纳米线吸引到所述转移表面。
4.根据权利要求3所述的方法,其中所述配置包含:
用交流(AC)场使所述电场偏置,以将所述至少一个纳米线吸引到所述转移表面。
5.根据权利要求4所述的方法,其中所述沉积包含:
用第二AC场使所述电场偏置,以使所述至少一个纳米线能够朝向所述目的地表面移动。
6.根据权利要求2所述的方法,其进一步包含:
配置所述目的地表面以具有与所述第一电荷相反的第二电荷。
7.根据权利要求6所述的方法,其中所述对准包含:
通过缩小所述至少一个纳米线与所述目的地表面之间的距离,使所述至少一个纳米线能够由所述第二电荷的静电吸力吸引到所述目的地表面。
8.根据权利要求7所述的方法,其中所述沉积包含:
用所述第二电荷将所述至少一个纳米线朝向所述目的地表面吸引。
9.根据权利要求6所述的方法,其中所述沉积包含:
用超声波方式振动所述转移表面,以使所述第二电荷的静电吸力能够将所述至少一个纳米线朝向所述目的地表面吸引。
10.根据权利要求9所述的方法,其中所述用超声波方式振动所述转移表面包含:
用超声波方式振动所述转移表面与目的地表面两者。
11.根据权利要求10所述的方法,其中所述用超声波方式振动所述转移表面进一步包含:
同步地用超声波方式振动所述转移表面与目的地表面。
12.根据权利要求1所述的方法,其中所述沉积包含:
从所述目的地表面对所述转移表面施加真空,以使所述至少一个纳米线朝向所述目的地表面移动。
13.根据权利要求1所述的方法,其中所述沉积包含:
产生与所述目的地表面相关联的第二电场,以将所述至少一个纳米线朝向所述目的地表面吸引。
14.根据权利要求1所述的方法,其中所述沉积包含:
停止所述电场的产生。
15.根据权利要求1所述的方法,其进一步包含:
配置所述目的地表面以具有亲水特性,以将含有所述至少一个纳米线的溶液朝向所述目的地表面吸引。
16.根据权利要求1所述的方法,其进一步包含:
配置所述转移表面以具有疏水特性,以排斥含有所述至少一个纳米线的溶液。
17.根据权利要求1所述的方法,其中所述提供包含:
使含有所述至少一个纳米线的溶液在所述电极对上流动。
18.根据权利要求17所述的方法,其进一步包含:
改变所述溶液在所述电极对上的流率。
19.根据权利要求1所述的方法,其中所述电极对包括第一电极及第二电极,且所述至少一个纳米线包括第一纳米线,其中所述产生包含:
致使所述第一纳米线的第一末端被定位为邻近所述第一电极的表面,且致使所述第一纳米线的第二末端被定位为邻近所述第二电极的表面。
20.根据权利要求19所述的方法,其中所述产生包含:
致使所述至少一个纳米线与通过所述第一及第二电极的轴大致平行对准。
21.根据权利要求19所述的方法,其中所述产生包含:
定位所述至少一个纳米线,以使所述第一及第二末端不与所述第一及第二电极接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造