[发明专利]消除半导体材料缺陷的方法无效
| 申请号： | 200880015063.7 | 申请日： | 2008-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN101675179A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫·里德·亨利茨 | 申请（专利权）人： | OPC激光系统有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/56 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 消除 半导体材料 缺陷 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种对衬底晶片进行低温处理的方法，所述衬底晶片由取自周期表的III-V族的材料构成，所述方法包括：
(a)将衬底晶片的温度降至低温水平，
(b)使所述晶片的所述温度保持在所述低温水平，
(c)使所述晶片的温度回升至室温，
(d)使所述晶片的温度升高至高于室温，
(e)使所述晶片的所述温度保持一段时间，
(f)使所述晶片的温度返回至所述室温，
由此，所述衬底晶片的低温处理用于消除所述衬底晶片的点缺陷、位错缺陷、空位缺陷和其他结晶缺陷。
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