[发明专利]包含可重构电容器单元的直流-直流变换器有效
申请号: | 200880015203.0 | 申请日: | 2008-05-08 |
公开(公告)号: | CN101682252A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
发明(设计)人: | 约翰·H·克洛特威克;亨德里克·J·贝格弗尔德;弗雷迪·罗泽博姆;德克·雷夫曼;亚普·鲁伊格罗克 | 申请(专利权)人: | NXP股份有限公司 |
主分类号: | H02M3/07 | 分类号: | H02M3/07;H01L27/08 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈 源;张天舒 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包含 可重构 电容器 单元 直流 变换器 | ||
1.一种直流-直流变换器(100,400,500,600,700,800,900), 其包括:
-可重构电容器单元,其具有基底并且包括多个电容结构,每个电容 结构包括第一和第二导电的电容器电极层以及中间的电介质层;
-开关单元(612),其包括电连接于不同电容结构之间的多个开关元 件(S1至S7),其中在第一开关状态中,各开关元件被配置为使两个分 别的电容器电极层相互电连接,而在第二开关状态中,各开关元件被配 置为使所述两个分别的电容器电极层相互断开,所述开关元件具有控制 输入端,并且被配置为根据施加到控制输入端的开关控制信号来呈现第 一开关状态或第二开关状态;以及
-控制单元(614),其与开关单元连接,并且被配置用于产生并向开 关单元提供各控制信号,以使用电容结构来形成多个多电容器结构(400, 500,600,700,800,900)中的相应一个,
其中在基底中的沟槽中限定至少一个第一电容结构,以限定沟槽填 充,以及
其中在基底中的与第一电容结构相同的沟槽中限定第二电容结构, 以形成相同的沟槽填充部分。
2.根据权利要求1所述的直流-直流变换器,其中电容器电极层与至 少两个内部电容器接线端(144至152)中的相应一个连接。
3.根据权利要求1所述的直流-直流变换器,其中沟槽填充(124至 135)包括至少五个电容器电极层(126,128,130,132,134),并且其 中控制单元(414,514,614,717,802)被配置用于产生控制信号,以 呈现多个多电容器结构的相应一个,各多电容器结构连接电容器电极层, 从而形成
-电容器的串联连接,
-或者电容器的并联连接,
-或者第一部分电容器的串联和第二部分电容器的并联。
4.根据权利要求1所述的直流-直流变换器,其包括:
-输入端(702,708),其被配置用于从外部电压源向沟槽式多电容 器件施加直流输入电压;
-输出端(714,716),其被配置用于从沟槽式多电容器件向外部负 载(720)提供直流输出电压;
-其中,开关单元(S1至S4)被配置用于形成具有连接在输入端之 间的至少两个电容器(C1,C2)的第一多电容器结构,以及形成包括从 内部连接于输出端之间的至少一个输出电容器(C2)的第二多电容器结 构;并且其中
-控制单元(717)被配置用于产生并向开关单元提供控制信号,从 而以开关频率周期地在第一和第二多电容器结构之间进行切换。
5.根据权利要求4所述的直流-直流变换器,其中
-控制单元(717)被配置用于将开关频率调整为如下开关频率值 (f1):该开关频率值(f1)使直流-直流变换器的输出阻抗最小化,并且 同时表示使直流-直流变换器的输出阻抗最小化的一组开关频率值(fs)中 的最小开关频率值。
6.根据权利要求4所述的直流-直流变换器,其中
-控制单元具有负载传感器输入,其用于接收表示连接于输出端之间 的给定外部负载阻抗的信息,并且其中
-控制单元被配置用于产生并提供控制信号,该控制信号指示开关单 元从第三多电容器结构变为不同的第四多电容器结构,其中在给定外部 负载阻抗的情况下,使用第三多电容器结构的直流-直流变换器呈现较高 的输出阻抗,而使用第四多电容器结构的直流-直流变换器呈现较低的输 出阻抗。
7.根据权利要求4所述的直流-直流变换器,其中
-控制单元具有负载传感器输入,其用于接收表示连接于输出端之间 的给定外部负载阻抗的信息,并且其中
-控制单元被配置用于产生并提供控制信号,所述控制信号指示开关 单元一旦检测到外部负载阻抗从第一值变为第二值,则呈现第五多电容 器结构,其使直流-直流变换器在外部负载阻抗的第一值和第二值的情况 下的各输出电压之差最小。
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