[发明专利]利用丝网印刷的局部背场形成高质量背接触

权利要求书

1.一种太阳能电池，包括：

厚度小于200微米的薄结晶硅晶片，其包含连接至n-区的p-区；

连接至所述硅晶片的背表面的第一介电层；

连接至所述第一介电层以保护所述介电层的第一阻挡层，其中 所述第一阻挡层和所述第一介电层限定通向所述硅晶片的开口，和

连接至所述硅晶片、所述第一介电层和所述第一阻挡层以传导 电荷的背接触，其中整个所述背接触包含铝和硅的合金，其中所述 合金在所述开口处形成厚度为6～15微米的背场。

2.根据权利要求1的太阳能电池，其中所述合金含有1～12原子％ 的硅。

3.根据权利要求1的太阳能电池，其中所述背接触具有至少85％ 的背表面反射率。

4.根据权利要求1的太阳能电池，其中所述背接触具有125厘米/ 秒或更低的背表面复合速率。

5.根据权利要求1的太阳能电池，其中所述铝为非烧结的铝。

6.根据权利要求1的太阳能电池，其中所述铝为低烧结的铝。

7.根据权利要求1的太阳能电池，其中所述第一介电层的厚度为

8.根据权利要求1的太阳能电池，其中所述第一介电层包含二氧 化硅。

9.根据权利要求1的太阳能电池，其中所述第一阻挡层的厚度为

10.根据权利要求1的太阳能电池，其中所述第一阻挡层包含氮化 硅。

11.根据权利要求1的太阳能电池，还包括：

连接至所述硅晶片的前表面以钝化所述前表面的第二介电层。

12.根据权利要求11的太阳能电池，还包括：

连接至所述第二介电层以提供抗反射涂层的第二阻挡层。

13.一种太阳能电池装置，包括：

厚度为200微米或更低的薄硅晶片，其包含连接至n-区的p- 区；

连接至所述硅晶片的背表面的第一介电层；

连接至所述第一介电层以保护所述介电层的阻挡层，其中所述 阻挡层和所述介电层限定通向所述硅晶片的至少第一开口，和

通过所述至少第一开口连接至所述阻挡层、所述第一介电层和 所述硅晶片的背接触，其中整个所述背接触包含具有1～12原子％ 硅的铝。

14.根据权利要求13的太阳能电池装置，还包括：

连接至所述硅晶片的前表面以钝化所述硅晶片的第二介电层。

15.根据权利要求13的太阳能电池装置，其中通向所述硅晶片的所 述至少第一开口为点状。

16.根据权利要求13的太阳能电池装置，其中通向所述硅晶片的所 述至少第一开口为线状。

17.根据权利要求13的太阳能电池装置，其中所述背接触具有至少 85％的背表面反射率。

18.一种用于制造太阳能电池装置的方法，包括：

在薄硅晶片的掺杂基板上形成扩散层，其中所述硅晶片具有前表 面和背表面；

利用旋涂方法在至少所述硅晶片的背表面上形成介电层；

在所述介电层上形成阻挡层；

移除所述阻挡层和背表面介电层的一部分以形成通向所述基板 的开口；

对所述开口和所述硅晶片的背表面整体施加具有1～12原子％硅 的铝浆料；和

对所述铝浆料实施热处理，其中将所述铝浆料加热至700～900℃ 的峰值温度。

19.根据权利要求18的方法，其中所述硅晶片为结晶硅晶片。

20.根据权利要求18的方法，其中所述硅晶片的厚度为50～500微米。

21.根据权利要求18的方法，其中移除所述背表面介电层的一部分 是通过丝网印刷蚀刻浆料并对所述蚀刻浆料进行热处理来实施的。