[发明专利]聚酰胺作为光伏模块的封装材料的用途无效
申请号: | 200880015438.X | 申请日: | 2008-05-08 |
公开(公告)号: | CN101715608A | 公开(公告)日: | 2010-05-26 |
发明(设计)人: | H·默肯胡伯尔 | 申请(专利权)人: | 依索沃尔塔股份公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;B32B27/34 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 邓毅 |
地址: | 奥地利维*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 聚酰胺 作为 模块 封装 材料 用途 | ||
1.聚酰胺作为封装材料用于制造光伏模块的用途。
2.根据权利要求1所述的用途,其特征在于,所述聚酰胺选自聚酰胺6、聚酰胺66、聚酰胺7、聚酰胺9、聚酰胺10、聚酰胺11、聚酰胺12、聚酰胺69、聚酰胺610、聚酰胺612、PA-6-3-T、PA 6I、聚邻苯二甲酰胺(PPA)。
3.根据权利要求1或2所述的用途,其特征在于,所述聚酰胺是由不同的芳香族的或者部分芳香族的单体组成的共聚物。
4.根据权利要求1-3任一项所述的用途,其特征在于,所述聚酰胺作为单膜使用。
5.根据权利要求1-3任一项所述的用途,其特征在于,所述聚酰胺包含于薄膜复合体中。
6.根据权利要求1-5任一项所述的用途,其特征在于,将聚酰胺薄膜或聚酰胺薄膜复合体染色。
7.根据权利要求1-6任一项所述的用途,其特征在于,向聚酰胺薄膜或聚酰胺薄膜复合体添加添加剂,优选UV稳定剂、水解稳定剂、抗氧化剂、热稳定剂或防火剂。
8.根据权利要求1-7任一项所述的用途,其特征在于,聚酰胺薄膜或聚酰胺薄膜复合体包含填充材料。
9.根据权利要求1-8任一项所述的用途,其特征在于,借助物理介质对聚酰胺薄膜进行预处理。
10.根据权利要求1-9任一项所述的用途,其特征在于,所述薄膜复合体包含聚酰胺薄膜和含氟聚合物薄膜。
11.根据权利要求10所述的薄膜复合体的用途,其特征在于,所述含氟聚合物选自聚氟乙烯(PVF)、聚偏氟乙烯(PVDF)、乙烯三氟氯乙烯(ECTFE)、聚三氟氯乙烯(PCTFE)、乙烯四氟乙烯(ETFE),聚四氟乙烯(PTFE)、四氟乙烯-六氟丙烯-偏氟乙烯(THV)、四氟乙烯-全氟烷氧基-乙烯基醚-共聚物(PFA)或全氟-乙烯-丙烯(FEP)。
12.根据权利要求10或11任一项所述的用途,其特征在于,将含氟聚合物薄膜染色。
13.根据权利要求10-12任一项所述的用途,其特征在于,通过粘合层在薄膜之间产生力传递的连接。
14.根据权利要求13所述的用途,其特征在于,所述粘合层为聚氨酯胶粘剂或聚酯胶粘剂。
15.根据权利要求10-12任一项所述的用途,其特征在于,借助共挤压在薄膜之间产生力传递的连接。
16.根据权利要求15所述的用途,其特征在于,在共挤压时在薄膜之间另外挤压至少一层增附剂。
17.根据权利要求1-16任一项所述的用途,其特征在于,所述聚酰胺薄膜另外具有一个含氟聚合物层。
18.根据权利要求17所述的用途,其特征在于,所述含氟聚合物层包含选择性可溶的含氟聚合物。
19.根据权利要求17或18所述的用途,其特征在于,将所述含氟聚合物层染色。
20.根据权利要求17-19任一项所述的用途,其特征在于,所述增附剂层位于聚酰胺薄膜与含氟聚合物层之间。
21.根据权利要求20所述的用途,其特征在于,所述增附剂是聚氨酯和/或聚酯和/或聚丙烯酸酯。
22.根据权利要求17-19任一项所述的用途,其特征在于,在聚酰胺薄膜与含氟聚合物层之间另外存在一个由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)构成的薄膜。
23.根据权利要求22所述的用途,其特征在于,通过所述粘合层产生力传递的连接。
24.根据权利要求23所述的用途,其特征在于,所述胶粘剂是聚氨酯胶粘剂或聚酯胶粘剂。
25.根据权利要求22所述的用途,其特征在于,借助共挤压产生力传递的连接。
26.根据权利要求25所述的用途,其特征在于,在共挤压时另外挤压至少一层增附剂。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的